产品特性：

• 电压介于 8 V 至 30 V 之间
• 4.5 V 时导通电阻值低至 0.011 Ω
• PowerPAK SC-70小型封装
• 符合 RoHS 规范

应用范围：

• 手机、PDA、数码相机
• MP3 播放器、笔记本电脑、便携式HDD
• 微型电机驱动等便携设备

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了 n 通道及 p 通道的互补对外，还包括 n 通道及 p 通道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件。器件的电压介于 8 V 至 30 V 之间，在 4.5 V 时导通电阻值低至 0.011 Ω。

随着便携设备的体积越来越小，以及它们功能的不断增加，其可用电路板空间会极大减少。设计人员需要设计体积更小的解决方案，同时维持较低的功耗，从而尽可能延长电池在充电间隔期间的使用时间。

为了满足此需求，PowerPAK SC-70 将 SC-70 封装的超小尺寸与较大 TSOP-6 所对应的导通电阻相结合。上述解决方案可在实现极低的功耗，而封装尺寸是 TSOP-6 的一半且厚度比 TSOP-6 薄 27%。除有助于节能外，PowerPAK SC-70 还是 100% 无铅、无卤素且符合 RoHS 规范的封装，可满足国际法规关于消除有害物质的要求。

Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET 的典型应用将包括为手机、PDA、数码相机、MP3 播放器、笔记本电脑、便携式 HDD 及微型电机驱动等便携设备负载开关及电池充电。

目前推出的器件包括SiA413DJ，它是业内首款采用此封装尺寸的 12V 单路 p 通道器件。SiA913DJ 及 SiA912DJ分别是首款 12V 双路 p 及 n 通道 MOSFET，而 SiA511DJ是首款 12V n 通道及 p 通道互补对。

采用 SC-70 封装尺寸的多款器件在导通电阻方面刷新纪录。新型 SiA421DJ在 4.5 V 时额定电阻为 0.056 Ω，在 30V 单路 p 通道类别中的导通电阻最低。SiA914DJ的导通电阻为 0.053 Ω，是业内导通电阻最低的 20 V双路 p 通道 MOSFET。新产品中的两款为单板、低压降（VF）肖特基二极管。SiA810DJ的额定电阻为 0.053 Ω，是导通电阻最低的 20 V 单路 n 通道带肖特基二极管的器件，而 SiA811DJ的额定电阻为 0.094Ω，是导通电阻最低的 20 V 单路 p 通道带肖特基二极管的器件。

该SiA413DJ 和SIA411DJ的额定导通电阻低至1.5V VGS，可实现较低功耗，降低了对电平相移电路的需要，从而节省了电路板空间。之前推出的采用 PowerPAK SC-70 封装的器件包括 SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ，额定导通电阻低至1.2V VGS。另外，额定电阻为 0.011 Ω 的 SiA414DJ和额定电阻为 0.023 Ω 的 SiA417DJ是采用此封装类型的首款器件，其额定击穿电压为 8V。

目前，15 款新型功率 MOSFET 的样品和量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。