【导读】2026 年 10 月 8 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布将其GaN产品组合扩展至低压应用领域，率先在业界推出100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低压GaN FET可在AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动、电动工具以及太阳能微型逆变器等对效率要求极高的高功率密度应用中，实现超高速开关速度和增强的热性能。
新款GaN FET实现业界卓越的硬开关和软开关优值（FOM）性能，相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。低压GaN器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于导入现有设计。
当前数据中心的电源转换器通常以数百千赫兹的开关频率运行。随着AI服务器和工业基础设施向800VDC配电和48V总线架构过渡，许多转换级正迈向兆赫级开关频率，以缩小磁性元件尺寸、提升功率密度并提高整体效率。
在800V高压直流（HVDC）电源架构中采用低压GaN，可简化电源转换设计，显著减小无源元件尺寸，降低开关损耗和散热需求。在系统层面，这意味着更高效率、更少的热管理要求，以及更低的能源和BOM成本。
广泛的GaN产品组合实现更高效率、功率密度与设计灵活性
基于瑞萨近期扩展的低压增强型GaN技术平台，全新晶体管产品组合具备超高速GaN开关能力，并通过低总栅极电荷（Qg）和低输出电荷（Qoss）最大限度减少电压与电流重叠，从而降低AI电源单元、电机驱动和DC-DC电源级在每个转换周期中的能量损耗。该器件还具备零反向恢复（Qrr=0）特性，可消除相关能量损耗，立即提升开关效率。
快速开关可通过缩小PCB占板面积、减小磁性元件和无源元件尺寸来提升功率密度，并实现更高频率运行；低导通电阻RDS（on）则可降低导通损耗，提高运行效率。底部散热和双面散热配置为散热和设计灵活性提供更多选择。根据具体应用要求和电源转换架构，低压GaN器件可将开关损耗降低多达40%至70%，并在系统层面实现最高两倍的功率密度。
新款GaN晶体管提供多种标准MOSFET兼容封装，使客户能够快速从硅MOSFET布局迁移到GaN方案，无需大幅重新设计PCB，从而加快设计实施。多样化封装选项结合宽范围RDS（on）（5mΩ至1.2mΩ），使设计人员能够在同步整流、多相降压转换和电机驱动等不同功率等级和应用之间灵活扩展。
Akhil Nair, Senior Director, Low-Voltage GaN at Renesas表示：“采用下一代GaN技术的客户正在为AI服务器、机器人、工业电机驱动和可再生能源系统寻求更高效的电源转换方案，并希望在日益紧凑的系统中实现这一目标。我们的低压GaN系列不仅提供设计人员期待的GaN效率、开关性能和功率密度，还显著降低了客户从现有硅MOSFET设计迁移至GaN方案的门槛。”
硅兼容封装中的高性能GaN
全新GaN系列基于增强型（E-MODE常关型）GaN技术打造，可在便捷的硅兼容封装中发挥GaN的性能优势。这有助于设计人员充分利用GaN带来的效率和功率优势，并简化从现有硅基设计的迁移。
全新低压GaN系列的主要特性：
相比硅基设计，效率提升1%至3%，并消除Qrr损耗
开关损耗大幅降低40%至70%
通过降低每个周期的开关能量并支持高频运行，实现功率密度翻倍
更高开关频率有助于减小磁性元件尺寸、降低整体系统损耗，从而缩小系统占板面积
优化热管理可减少风扇和主动散热需求，降低系统复杂度和BOM成本
此外，凭借每个电源级更低的总能耗，全新GaN系列可帮助设计人员实现可持续发展目标。该系列通过减少热管理和气流管理所需风扇尺寸、支持使用更小的磁性元件并缩小整体PCB占板面积，助力AI数据中心和工业应用实现能效目标。
成功产品组合
全新低压GaN FET可轻松集成到瑞萨其他电源参考设计中，包括6kW 800V至48V DCX LLC和工业DC伺服平台。成功产品组合是由相互兼容的器件构成、并经过技术验证的系统架构，可协同工作，为客户提供优化且低风险的设计方案，从而加快产品上市。瑞萨产品组合中超过400款成功产品组合覆盖广泛产品，可帮助客户加速设计流程并更快将产品推向市场。
瑞萨电源，赋能未来
瑞萨以创新、品质和可靠性为驱动，引领电力电子发展，每年出货超过40亿颗器件，涵盖电源管理IC、分立器件和宽禁带GaN产品、计算电源器件等在内的丰富产品组合。这些产品覆盖汽车、物联网、基础设施和工业应用等主要领域。瑞萨电源产品组合可与其领先的MCU、MPU、SoC和模拟解决方案无缝搭配，并通过数百款经过工程验证的成功产品组合，以及PowerCompass™和PowerNavigator™设计软件等创新工具，简化并加速设计流程。
结论
瑞萨新款 100V 增强型 GaN FET 性能优势显著，凭借零反向恢复特性大幅降低开关损耗、提升功率密度，支持兆赫级高频工作。产品兼容传统硅 MOSFET 布局，散热方案灵活，可有效精简外围器件、降低散热成本与整机 BOM 成本。目前器件与评估板已正式供货，可适配 800V 高压、48V 总线架构，依托成熟参考设计，能够快速落地 AI 数据中心、工业自动化等电源方案，助力设备高效节能与轻量化升级。
