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飞兆半导体最近推出的碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)将成为IGBT的下一个替代技术,它可以在更高的温度下转换更高的电压和电流。SiC BJT允许更高的开关频率,传导和开关损耗降低(30-50%),从而能够在相同的尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。...
时间:2013-05-08
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时间:2013-05-06
- 半月谈:IGBT应用设计全面剖析
IGBT是电力电子重要大功率主流器件之一,已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。那么该如何做好IGBT的保护及设计呢?国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好,今后的发展趋势又将如何?...
时间:2013-05-10
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高分子聚合物正系数温度电阻,即:高分子正温热敏电阻,在线路上流过电流异常时,导体上所产生的热能便会将聚乙稀由结晶状变成胶状,导致阻抗迅速提高而限制异常电流流过PPTC组件,从而保护器件。
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