了解MOS管，看这个就够了！

应用

MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(Insulator)—半导体。MOS管的Source和Drain是可以对调的，他们都是在P型Backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

自制基于MOS管的免绕制逆变电源

电源行业如此发达的今天，对电源的质量和效率都有了新的要求，而逆变电源也正因此被重视起来。本文就介绍了一种基于MOS管的自制免绕制逆变电源。详细阅读>>

浅析功率MOS管的锂电池保护电路

由于磷酸铁锂电池的特性，在应用过程中需要对其充放电过程进行保护，避免因过充过放或过热造成电池的损坏，保证电池安全的工作。放电过程中极端恶劣的工作条件是短路保护，本文将介绍在这种工作状态下功率MOS管的特点，以及如何选取功率MOS管型号和设计合适的驱动电路。详细阅读>>

怎么避免上拉电阻成为MOS管过热的杀手？

工程师要想保证设计可靠，必须要在NMOS栅极和PMOS栅极添加上拉电阻，同时系统也要安全防护。但是如果忽略电阻开路的问题，就会使原本作为保护者的上拉电阻变成MOS管过热的杀手。详细阅读>>

四大法则教你如何正确选取MOS管

在一些电路的设计中，不光是开关电源电路中，经常会使用MOS管，正确选择MOS管是硬件工程师经常遇到的问题，更是很重要的一个环节，MOS管选择不好，有可能影响到整个电路的效率和成本，本文通过整理网友观点，总结出如何正确选取MOS管的四大法则。详细阅读>>

深剖：寄生参数与驱动电路如何影响MOS管？

本文主要为大家讲解的是我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，寄生参数是如何影响MOS管的？还有深度剖析下MOS管驱动电路有哪些要点的？详细阅读>>

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。详细阅读>>

基础知识

MOS管驱动电路基础知识总结

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路时，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。详细阅读>>

如何解决MOS管发热问题

在设计电源电路，或者设计驱动方面的电路时，会经常用到 MOS 管，然而 MOS 管发热严重的问题，经常困扰着广大设计者与工程师。针对这一问题，本文探讨了 MOS 管发热问题的原因及解决方法。详细阅读>>

技术突破：MOS管封装能效限制解除法门

本篇文章主要对目前MOS封装当中存在的一些限制进行了介绍，并提出了改善的必要性。在最后，还给出了提高总体能效的方法。希望大家在阅读过本篇文章之后，能对MOS管的封装有进一步的了解。详细阅读>>

MOS管是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。