为了限制本讨论的范围，请考虑采用同步降压转换器拓扑的MOSFET选择方法，该方法适用于PC主板和电信应用的DC / DC转换器。为特定应用寻找合适的MOSFET涉及最小化损耗并了解这些损耗如何取决于开关频率，电流，占空比以及开关上升和下降时间。此信息指导选择工具开发。
鉴于现有的MOSFET选择范围广泛，以及为主板电源分配的不断缩小的空间，使用可靠，一致的方法选择正确的MOSFET变得越来越重要。这种方法可以加速开发周期，同时优化特定于应用的设计。详细阅读>>
干货
“MOSFET”是英文metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”。小信号MOSFET主要用于模拟电路的信号放大和阻抗变换，但也可应用于开关或斩波。功率MOSFET除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。功率MOSFET都是增强型MOSFET，它具有优良的开关特性。
功率MOSFET工作在线性区用来限制电流，VGS电压低，通常在负温度系数区，局部单元过热导致其流过更大的电流，结果温度更高，从而形成局部热点导致器件损坏，这样就形成一个热电不稳定性区域ETI (Electro Thermal Instability)，发生于VGS低于温度系数为0（ZTC）的负温度系数区。详细阅读>>
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。详细阅读>>
通信设备和服务器中，在插入和拔出电路板和板卡进行维修或者调整容量时，系统必须能够保持正常工作。当后级的电路板和板卡接入前级电源系统时，由于后级电路输入端带有大的滤波电容，那么，在上电的瞬间电容相当于短路，大的电容充电电流和负载电流一起作用，产生大的浪涌电流，同时大的浪涌电流导致高的电流和电压变化率，对系统产生一系列的安全问题。详细阅读>>
功率场效应晶体管由于承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求，计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配之后，在此基础上设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。详细阅读>>
以下将本文介绍的di/dt、dV/dt分开单独控制方法，不仅适用于负载开关，还广泛用于电机控制功率MOSFET或IGBT驱动电路。详细阅读>>
经典案例
功率MOSFET的结温影响器件许多工作参数及使用寿命，数据表中提供了一些基本的数据来评估电路中功率MOSFET的结温。本文主要来说明MOSFET的稳态和动态热阻的测量方法，以及它们的限制条件。详细阅读>>
功率MOSFET有三个工作状态，在漏极导通特性曲线上，对应的是三个工作区：截止区，线性区和可变电阻区。注意到：MOSFET的线性区有时也称为：恒流区或饱和区。详细阅读>>
使用功率MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。详细阅读>>
近年来，功率MOSFET广泛地应用于电源、计算机及外设（软、硬盘驱动器、打印机、扫描器等）、消费类电子产品、通信装置、汽车电子及工业控制等领域。
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