功率MOSFET案例解析（三）

干货

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

RF功率MOSFET产品及其工艺开发

RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一状况。和硅双极型晶体管或GaAs MOSFET相比较，硅基LDMOSFET有失真小、线性度好、成本低的优点，成为目前RF 功率 MOSFET的主流技术。详细阅读>>

使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题

对于主板设计师来说，要设计处理器电压调节模块(VRM)来满足计算机处理器永无止境的功率需求实在是个大挑战。Pentium 4处理器要求VRM提供的电流提高了约3倍。英特尔将其VRM指标从8.4版本升级到9.0版本，涵盖了新的功率要求，以继续追随摩尔(Moore)定律。详细阅读>>

英飞凌联手Schweizer开发出新技术芯片嵌入式功率MOSFET

英飞凌科技股份公司联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术：芯片嵌入式功率MOSFET。它将显著提升48 V系统的性能，同时降低它们的复杂度。大陆集团动力总成事业群将是首家采用这项技术的企业。详细阅读>>

Vishay推出汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出新款30V和40V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装，有效提升板级可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通过AEC-Q101认证，占位面积比DPAK封装器件减小50%以上，节省PCB空间并降低成本，同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构5mm x 6mm封装MOSFET。详细阅读>>

理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度系数导通电阻也增加，因此流过的电流减小，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件，在其内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的导通电阻具有正的温度系数，因此并联工作没有问题。详细阅读>>

12个大功率MOSFET基于逆变焊机的应用与评测

逆变焊机的电路结构,一般是采用整流--逆变--再整流的过程,即交流--直流--交流.由于逆变过程中工作频率高,因此控制过程的动态特性统计局到提高,焊机的体积小,重量轻。详细阅读>>

经典案例

功率MOSFET驱动器提供了车载照明保护与控制

一支白炽灯泡中钨丝的电阻可随着温度的变化产生超过 1:10 比率的变化。为了防止元件过热，以及长时间使用而造成的元件性能下降，一款具有可编程短路和过电流调节的电子开关就显得极为有用。一旦检测到有过电流情况发生，标准及自恢复 (re-settable) 保险丝就会中断负载电源，并且可能会用一个长短不定的时间来进行复位。与此不同的是，可以对一个电子开关进行编程来更具预见性地做出反应。详细阅读>>

精确测量功率MOSFET的导通电阻

电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使用的公式不同。在这些情况下，必须考虑探针间距和样本厚度。仅仅运用Kelvin法本身无法保证精度。如果布局和连接数发生变化，就很难精确地预测非均匀几何形状的电阻。详细阅读>>

各种开关电源功率MOSFET损坏的原因和形态

工程师们将损坏的功率MOSFET送到半导体原厂做失效分析后，得到的结论通常是过电性应力EOS，却无法判断是什么原因导致MOSFET的损坏。功率MOSFET损坏有哪些原因和形态？一牛人拍下了功率MOSFET不同损坏形态的失效分析图片，结合功率MOSFET管的工作特性，系统的分析开关电源功率MOSFET各种损坏模式，还给出了测试过电流和过电压的电路图哦。详细阅读>>

近年来，功率MOSFET广泛地应用于电源、计算机及外设（软、硬盘驱动器、打印机、扫描器等）、消费类电子产品、通信装置、汽车电子及工业控制等领域。