普通硅二极管与肖特基二极管的异同

干货

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

应用在电源管理中的肖特基二极管

很多设计都采用一个转换器设计（网络）工具推荐的二极管。这并非总是二极管的最优选择。本文将探讨一些在选择正确的二极管时应仔细考虑的典型参数，以及如何应用这些参数来快速确定选型的正确与否。详细阅读>>

内置肖特基二极管的MOSFET可提高应用性能

当一个功率MOSFET被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流时，体漏二极管的特性及质量因子将变得非常重要。当需要Qrr数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V"F7"功率MOSFET确保能效和换向性能更加出色。详细阅读>>

采用额外的肖特基二极管减少干扰

在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低端开关承载电流时的压降更低。详细阅读>>

碳化硅（SiC）具有宽禁带、高热导率等优良的材料特性，在中高压功率半导体器件制造中得到了广泛的应用。目前，肖特基二极管、mosfet和jfet是市场上最流行的SiC功率器件。特别是sic schottky二极管已经成功地应用于电力领域近20年。最早的SiC肖特基二极管采用纯肖特基势垒二极管（SBD）结构。后来，这种结构演变成一种结势垒肖特基（JBS）具有低反向泄漏电流。最新的结构被称为合并PN肖特基...详细阅读>>

如何提高4H-SiC肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性

半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些SiC供应商已开始根据严格的工业和汽车（AEC-Q101）标准来认证SiC器件，而另一些供应商不但超出了这些认证标准的要求，还能为恶劣环境耐受性测试提供数据...详细阅读>>

肖特基二极管引脚辨别方法

电阻元件接入电路可不分极性，但是肖特基二极管是有极性的，而且它必须正确安装。肖特基二极管如果安装不正确不仅会破坏它本身，就可能会破坏电路其他许多零件。因此，懂得辨别肖特基二极管引脚的方法显得特别重要。详细阅读>>

新品推荐

UnitedSiC推出新型结垒肖特基二极管

10月26日消息，美国SiC功率半导体制造商UnitedSiC日前宣布推出四款新型结垒肖特基(JBS)二极管，以补充其FET和JFET晶体管产品。UJ3D 1200V和1700V器件号称具有业界最佳的浪涌电流性能，是该公司第3代SiC Merged-PiN-Schottky（MPS）二极管的一部分。详细阅读>>

意法半导体推出薄型贴装肖特基二极管

意法半导体新推出26款封装采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极管。新二极管的厚度是1.0mm，比标准SMA和SMB封装产品薄50％，让设计人员能够在提高功率密度的同时节省空间。封装面积与标准SMA和SMB相同，可直接插入...详细阅读>>

联合碳化硅扩大肖特基二极管产品组合

碳化硅（SiC）功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，将推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管，以补充FET和JFET晶体管产品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有业界更佳的浪涌电流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN...详细阅读>>

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。