栅极驱动器的原理

干货

栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电路。在某些情况下，例如驱动用于数字信号传输的逻辑电平晶体管时，使用微控制器输出不会损害应用的效率、尺寸或热性能。在高功率应用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。

非隔离型栅极驱动器与功率元器件

ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET PrestoMOSTM。详细阅读>>

如何利用高电流栅极驱动器实现更高的系统效率

当今世界，设计师们似乎永远不停地追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出！更高的系统效率需要团队的努力，这包括（但不限于）性能更高的栅极驱动器、控制器和新的宽禁带技术。详细阅读>>

如何使用高度集成的栅极驱动器实现紧凑型电机控制系统的设计

采用锂离子电池供电的高功率密度，高效率，三相无刷直流（BLDC）电机可实现无绳电动工具，真空吸尘器和电动自行车的开发。然而，为了节省更紧凑的机电设备的空间，设计人员面临着进一步缩小其电机控制电子设备的压力。详细阅读>>

隔离式栅极驱动器的峰值电流

当考虑使用何种栅极驱动器时，一个常见问题是：驱动器可以提供的峰值电流是多少？峰值电流是栅极驱动器数据手册中最重要的参数之一。此指标一般被视为决定栅极驱动器驱动强度的终极因素。MOSFET/IGBT的导通、关断时间与栅极驱动器可以提供的电流有关，但并不能说明全部问题。峰值电流一词在业界使用非常普遍，许多栅极驱动器数据手册的标题中包含这一术语。详细阅读>>

为什么要在汽车PTC模块中用低侧驱动器IC替换分立式栅极驱动器？

在混合动力汽车/电动汽车(HEV/EV)中，发动机并不会被用来运行加热和冷却系统，这与内燃机(ICE)汽车情况不同。我们使用两个关键系统来替代这一功能：使用BLDC电机驱动空调压缩机，使用正温度系数 (PTC) 加热器来加热冷却剂。详细阅读>>

面向新一代功率转换器的ADI隔离式栅极驱动器、电源控制器和处理器

目前，功率转换器市场快速演进，将来也会快速发展，从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现，比如，生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。这也意味着，要用更高的工作电压来管理更高的功率，却不能增加重量和尺寸，比如，太阳能串式逆变器和电动汽车...详细阅读>>

新品推荐

凭借其众多优点，三相无刷直流（BLDC）电机正在成为设计现代化电池供电型电机产品的首要选择。然而，为了让产品符合人体工学设计并延长电池的使用寿命，需要缩小产品的尺寸并减轻重量，这给产品设计带来了巨大挑战。为了帮助设计师满足终端市场的需求，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了完全可编程的电机控制器MOTIX™ IMD700A和IMD701A。它们采用9 x 9 mm2 64引脚VQFN封装，能够让无线电动工具、园艺用品、无人机、电动自行车以及自动导引车拥有更高的集成度以及功率密度...详细阅读>>

Allegro扩展用于数据中心冷却系统的三相无感BLDC栅极驱动器

运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（纳斯达克股票代码：ALGM）（以下简称Allegro）宣布扩大三相无感BLDC栅极驱动器的产品组合，新推出的A89332 和 A89332-1 旨在满足当今数据中心冷却系统不断变化的需求，为设计人员提供更灵活的选择方案。这些驱动器具有创新的集成式断电制动（(PLB)） (A89332) 和交流断电 (A89332-1) 功能，因而可实现更紧凑的高气流风扇设计，能够提高热效率、降低电力消耗和数据中心成本。详细阅读>>

英飞凌推出高压侧栅极驱动器EiceDRIVER 2ED2410-EM

目前，先进的智能汽车普遍搭载了高级驾驶辅助系统（ADAS）。ADAS应用是实现汽车主动安全的关键，必须具备高可用性。相比之下，自动驾驶技术的落地则更具挑战性，因为自动驾驶功能要求在发生故障时亦由车辆自身完成应急操作。这给汽车配电系统提出了更高要求，要求引入安全元件，以确保系统在100微秒内快速实现故障隔离。由于保险丝无法满足这一要求，需要考虑对汽车配电系统进行部分或全面的电气化改造。此外，智能汽车上还会出现越来越多可以提高驾驶员和乘客舒适度的应用。详细阅读>>

栅极驱动器分为两类：非隔离式栅极驱动器和隔离式栅极驱动器。大多数用于在高电压下运行的非隔离式栅极驱动器都是半桥驱动器。半桥驱动器旨在驱动以半桥配置堆叠在一起的功率晶体管。它们有两个通道：低侧和高侧。低侧是一个相当简单的缓冲器，通常与控制输入具有相同的接地点。而高侧则是经过精心设计且以半桥的开关节点为基准，从而允许使用两个N沟道MOSFET或两个IGBT。开关节点应该在高电压总线和电源接地之间快速过渡，从而让我们有机会以具有成本效益的方式利用与为低侧供电时相同的电源通过自举电路为高侧供电。为了传达输出应为高电平还是低电平，必须包含一个高电压电平转换器，该转换器的泄漏电流通常较小，只有几微安或更小。