详解隔离式栅极驱动器的重要特性

干货

栅极驱动器是一种电路，它将控制器输出的信号转换成高电压、高电流的脉冲来控制 MOSFET 或 IGBT 的栅极。在 MOSFET 或 IGBT 中，栅极负责控制主开关的导通和截止，因此栅极驱动器对于半导体开关电路至关重要。通过使用栅极驱动器，可以优化 MOSFET 或 IGBT 的性能、可靠性和寿命。

【揭秘】隔离式栅极驱动器

IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。详细阅读>>

减小隔离式同步栅极驱动器的尺寸并降低复杂性

带同步整流功能的隔离式DC-DC转换器的传统设计方法是使用光耦合器或脉冲变压器进行隔离，并将其与一个栅极驱动器IC结合在一起。本文将说明光耦合器和脉冲变压器的局限性，并提出一种集成度更高的方法，其性能更高，解决方案尺寸和成本则低得多。详细阅读>>

新型电源栅极驱动器设计

高功率电平带来更高的系统电压，转换器内所用各种组件的切断电压也更高。单通道UCC27531作为一种小型、非隔离式栅极驱动器，它的高电源/输出驱动电压范围为10到35V，让其成为12V Si MOSFET应用和IGBT/SiC FET应用的理想选择。详细阅读>>

实现隔离式半桥栅极驱动器的设计基础

隔离式半桥栅极驱动器可用于许多应用，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，探索隔离式半桥栅极驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸解决方案方面的卓越能力。详细阅读>>

低侧栅极驱动器中MOSFET的设计技巧

在照明、功率转换和电机控制等负载应用中电压不稳很常见，这主要是低侧栅极驱动器的MOSFET在作祟。栅极驱动器能设计为可提供能高效驱动所需的高峰值电流，那么如何降低不稳定因素呢？首先要了解驱动它们所需的功率MOSFET管的基本特征和驱动所需信号。下文将针对MOSFET在低侧栅极驱动器如何设计做一些经验分享。详细阅读>>

高速栅极驱动器如何实现更高的系统效率？

高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。本文主要来讨论过高速栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。详细阅读>>

经典案例

英飞凌推出带有微控制器、栅极驱动器

集成了电机控制器、三相栅驱动器600V/2A和600V/4A IPM, 在没有散热器情况可以驱动50W/70W电机，目标应用为大小家电和风机水泵。详细阅读>>

Allegro推出N沟道功率MOSFET驱动器

AMT49100和AMT49101是Allegro针对48V电池系统而开发的N沟道功率MOSFET驱动器，能够控制以三相桥式布局设置的MOSFET，可用于具有高功率电感性负载的48V汽车功率应用。详细阅读>>

英飞凌推出-1A/2A，160V MOTIX三相SOI栅极驱动器

-1A/2A，160V MOTIX™三相栅极驱动器，带有集成的电源管理单元（PMU）、电流感应放大器（CSA）和过流保护（ITRIP）。详细阅读>>

总之，栅极驱动器是一种非常重要的半导体器件，可以显著提高 MOSFET 和 IGBT 的性能和可靠性。通过使用栅极驱动器，可以确保控制器能够更好地控制这两种器件的操作，并扩展它们的使用寿命。同时，栅极驱动器也为工程师提供了一个简单、安全、可靠的方法来控制 MOSFET 和 IGBT，从而降低了系统的成本和复杂性。