可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有 耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
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干货
晶闸管（thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是pnpn四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流。其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为"v"、"vt"表示
脉冲功率技术是一种能量密度"压缩"技术,它通过开关的瞬时导通把较长时间内储存的能量在很短的时间(μs或ns量级)内释放出来,形成幅度达数十kA甚至数百kA的强电流脉冲。详细阅读>>
双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。详细阅读>>
晶闸管的过压保护设备是基于一对双极性晶体管，这一对双极性晶体管是由四层不同掺杂的N，P极组成，如图1所示。N型掺杂的N1，P型掺杂的P1，和N型掺杂的N2分别构成NPN晶体管的发射极，基极和收集极，而P型掺杂的P2，N型掺杂的N2，和P型掺杂的P1分别构成了PNP晶体管的发射极，基极，和收集极。详细阅读>>
尽管功率场效应VDMOS 和绝缘栅双极型晶体管IGBT等电力半导体元器件层出不穷,且在电力电子技术领域占据重要位置,晶闸管(可控硅) 却因耐高压耐大电流冲击的特性,仍有着稳固的阵地,受到用户的青睐。在摈弃电流采样、放大和执行等多个环节的情况下,将单结晶体管移相触发器中的晶体管误差放大器改为集成运算放大器,就可实现晶闸管直流稳压器的过流及短路保护,简化了电路结构...详细阅读>>
无功补偿是电力系统运行的基本要求。为了在电力系统运行中进行无功平衡，必须对各种电力负荷所需的无功功率进行补偿。无功补偿的方法有调相机补偿和电容器组补偿等，其中最为有效和易于实施的是在靠近负荷点的地方进行就地无功补偿。由于无功补偿挂接在电网上主要是通过自动投入和切除电力电容器来达到补偿效果，因此，控制电容器投切的开关元件性能对整个装置的质量和稳定性起着非常关键的作用。目前，国内的无功补偿产品...详细阅读>>
本文将驱动电路及SITH器件一起扩展成实际的开关电源应用电路，经测试，得到了比较先进的性能指标。这样，对SITH器件的应用研究就更加全面，使得对它的推广应用打下扎实的基础。详细阅读>>
经典案例
电气化铁路（ 以下简称电铁）的谐波问题是一个关系到公用电网电能质量和电铁顺利建设的重大问题, 我国从80 年代处就开始致力研究、解决这一问题。串联补偿装置可以在一定程度上解决这一问题, 而且由于其技术难度低、投资小、易于实现, 因而在单线电铁的复线改造工程中显示出了极大的优越性。详细阅读>>
随着电力电子技术的飞速发展，晶闸管软起动装置应运而生。三相异步电动机的起停技术发生了划时代的变化。晶闸管软起动产品问世不过30年左右的时间，而其主要性能却大大优于磁控软起动、液阻软起动等传统软起动方式。它的体积小，结构紧凑，几乎免维护，功能齐全，起动重复性好，保护周全，目前已成为软起动领域中的佼佼者。详细阅读>>
晶闸管自1957年问世以来，随着半导体技术及其应用技术的不断发展，使其在电气控制领域中发挥了很大的作用。但是，过去人们只能以分立器件的形式把晶闸管用在各种电气控制装置中，由分立器件组成的电路复杂、体积大，安装调试麻烦，可靠性也较差。晶闸管智能模块ITPM的出现，从根本上解决了上述难题...详细阅读>>
晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
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