谈谈SiC MOSFET的短路能力

干货

在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。

SiC MOSFET用于电机驱动的优势

低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压... 详细阅读>>

如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您

在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称"SiC"）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。详细阅读>>

Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。详细阅读>>

如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性

CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。但尽管如此，工程师需要了解器件的静态和动态性能以及关键影响参数，以实现他们的设计目标。在下面的文章中，我们将为您提供更多关于这方面的见解。详细阅读>>

Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。详细阅读>>

用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南

SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。详细阅读>>

经典案例

.使用SiC MOSFET和Si IGBT栅极驱动优化电源系统

在电动汽车 (EV) 和光伏 (PV) 系统等绿色能源应用所需的 DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器和交流 (AC) 逆变器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是关键元件。但是如要获得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的栅极在导通和关断时需要精确的驱动电压（具体取决于所使用的器件）。详细阅读>>

用于车载充电器应用的1200 V SiC MOSFET模块使用指南

随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展，对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市，工程师也在利用它们的性能优势设计 OBC 系统。要注意的是，PFC 拓扑结构的变化非常显著。设计人员正在采用基于 SiC MOSFET 的无桥 PFC 拓扑，因为它有着卓越... 详细阅读>>

如何将第三代 SiC MOSFET 应用于电源设计以提高性能和能效

在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。详细阅读>>

总结一下，商业化的SiC MOSFET普遍采用短沟道设计，用来降低导通电阻，这使得DIBL（漏致势垒降低效应）比较明显。SiC MOSFET中的DIBL效应首先表现在饱和电流随VDS上升而上升，其次表现在栅极电荷曲线中的米勒平台段呈斜线。从图中计算得出SiC的QGD需要将VDS与栅极电荷曲线叠加在一起，通过限定边界条件的方式得出。