在电子电路中，本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是哪类电子元件，如：电阻，电容，电感，二极管，三极管，MOS管，IC等，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。详细阅读>>
干货
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。
在工作于自激振荡模式的SMPS中，需要检测磁芯的完全去磁状态。去磁检测的最新技术基于对与变压器主绕组耦合的辅助绕组的使用。此绕组可对磁芯实际去磁后出现的零电压进行检测(ZCD)。在准谐振工作中，重新启动新一轮导通周期的最佳时机位于功率MOSFET漏极电压的"谷点"处。详细阅读>>
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。详细阅读>>
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。详细阅读>>
本文研究了理想串联谐振电容器充电电源的电流特性和实际串联谐振电容器充电电源的电流特性，分析了充电系统中高压变压器和高压整流二极管的寄生参数的影响，采用等值电路来描述变压器和二极管中复杂的寄生电容，并且可以通过试验来测得，指出由于变压器和二极管寄生电容的存在，使所设计的高压串联谐振充电电源变成了一个高压串并联谐振充电电源，其充电电流并不恒定。详细阅读>>
电容式传感器具有结构简单，灵敏度高，温度稳定性好，适应性强，动态性能好等一系列优点，目前在检测技术中不仅广泛应用于位移、振动、角度、加速度等机械量的测量，还可用于液位、压力、成份含量等热工方面的测量中。但由于电容式传感器的初始电容量很小，一般在皮法级，而连接传感器与电子线路的引电缆电容、电子线路的杂散电容以及传感器内极板与周围导体构成的电容等所形成的寄生电容却较大，不仅降低了传感器的灵敏度，而且这些电容是随机变化的，使得仪器工作很不稳定，从而影响测量精度...详细阅读>>
经典案例
二极管以其单向导电特性，在整流开关方面发挥着重要的作用；其在反向击穿状态下，在一定电流范围下起到稳压效果。令人意外的是，利用二极管的反偏压结电容，能够有效地减少信号线上的接入寄生电容，这里将近一步讨论这个运用。详细阅读>>
电磁干扰EMI中电子设备产生的干扰信号是通过导线或公共电源线进行传输，互相产生干扰称为传导干扰。传导干扰给不少电子工程师带来困惑，如何解决传导干扰？这里，我们先着重讨论当寄生电容直接耦合到电源输入电线时会发生的情况。详细阅读>>
我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容时，MOSFET 的等效电路就成了图 2 的样子了。详细阅读>>
实际上,由于频率的不断提高,致使引线寄生电感、寄生电容的影响愈加严重,对器件造成更大的电应力(表现为过电压、过电流毛刺)。为了提高系统的可靠性,有些制造商开发了"用户专用"功率模块(ASPM),它把一台整机的几乎所有硬件都以芯片的形式安装到一个模块中,使元器件之间不再有传统的引线连接,这样的模块经过严格、合理的热、电、 机械方面的设计,达到优化完美的境地。
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