新一代逆向导通型IGBT
时间：2010年05月17日 - 2010年08月16日英飞凌最新的IGBT将二极管和IGBT集成在同一个晶粒上,这个技术创新为广大客提供了一个高性能, 低成本,小封装的方案. 这种有着宽泛的可调的开通关断时间,卓越的抗电磁干扰, 平稳的开关波形,5uS 短路能力和175 oC最高结温的新型IG...
- 举行公司：英飞凌科技(中国)有限公司
- 会议详情：英飞凌最新的IGBT将二极管和IGBT集成在同一个晶粒上,这个技术创新为广大客提供了一个高性能, 低成本,小封装的方案. 这种有着宽泛的可调的开通关断时间,卓越的抗电磁干扰, 平稳的开关波形,5uS 短路能力和175 oC最高结温的新型IGBT使得客户的设计更加的顺畅.
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- 演讲专家： 王进
- 专家职务： 英飞凌科技(中国)有限公司系统应用工程师
- 专家简介： 王进先生2004年毕业于湖北大学电子信息工程专业，随后就职于Artesyn中国设计部， 艾默生雅达中国设计部，从事高功率AC/DC, DC/DC开关电源的设计开发。2009年加入英飞凌科技（中国）有限公司。任系统应用工程师，负责英飞凌功率半导体器件的应用和方案推广。
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- 公司简介：总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——能源效率、通讯和安全性提供半导体和系统解决方案。2009财年（截止到9月份），公司实现销售额30.3亿欧元，在全球拥有约25,650名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场（OTCQX）International Premier（股票代号：IFNNY）挂牌上市
- 公司网站：http://www.infineon.com/cms/cn/product/index.html
