电路保护-技术中心-电子元件技术网

电路保护

运算放大器参数的简易测量“指南”

运算放大器是差分输入、单端输出的极高增益放大器，常用于高精度模拟电路，因此必须精确测量其性能。但在开环测量中，其开环增益可能高达107或更高，而拾取、杂散电流或塞贝克（热电偶）效应可能会在放大器输入端产生非常小的电压，这样误差将难以避免。

2024-12-20

运算放大器测量

借助热插拔控制器，确保系统持续稳定运行

在电子产品中，在不中断系统运行的情况下安全地插入和拔出电源模块的能力至关重要。众所周知，热插拔1已成为从数据中心到电信系统等许多应用的基本功能。为了确保系统在这些操作期间的安全性和完整性，需要专门的控制器。ADI公司的LTC4287在这类产品中具有明显优势。本文深入探讨了这款热插拔控制器...

2024-12-16

热插拔控制器

探究电路里0.1uF和0.01uF电容的共存之谜

旁路电容(Bypass Capacitor)和去耦电容(Decoupling Capacitor)这两个概念在电路中是常见的，但是真正理解起来并不容易。

2024-12-16

电路电容

为何混合型交流浪涌保护器是浪涌保护首选？

现在的电子设备无处不在且发展迅速，其越来越敏感的电路在很大程度上依赖前端保护，因为它们要接入电力基础设施，而这些基础设施可能有或者没有最新的电压浪涌和瞬态保护功能。这些瞬态事件可能是由雷击、开关动作或类似的电压浪涌事件造成的结果，会导致过电压和过电流事件，进而损坏敏感电子设备...

2024-12-16

交流浪涌保护器浪涌保护

对比双电源分立式和集成式仪表放大器

设计分立式仪表放大器 (IA) 与集成式 IA 的优点和缺点有很多，而且经常争论不休。需要考虑的一些变量包括印刷电路板 (PCB) 面积、增益范围、性能（随温度变化）和成本。本文的目的是比较三种双电源 IA 电路：使用四路运算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益设置电阻器 (RG) 的通用 IA 和带...

2024-12-13

双电源分立式集成式仪表放大器

无辅助绕组 GaN 反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题

人们对更小、更高效电源的需求不断增长，进而推动着基于氮化镓 (GaN) 的功率级快速普及。在交流/直流适配器市场中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式转换器，通过功能越来越强大但尺寸越来越小的适配器，帮助扩大 USB Type-C® 接口的市场规模。

2024-12-13

无辅助绕组 GaN 反激式转换器交流/直流适配器

如何选择有效的ESD保护二极管

ESD 保护器件的目的是将数千伏的 ESD 输入降低至受保护 IC 的安全电压，并将电流从 IC 分流出去。尽管所需 ESD 波形的输入电压和电流在过去几年中没有变化，但保护 IC 所需的安全电压水平却有所下降。过去，IC 设计对 ESD 更加稳健，并且可以处理更高的电压，因此选择能够满足 IEC61000-4-2 4 级要...

2024-12-12

ESD 保护二极管

第11讲：三菱电机工业SiC芯片技术

1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为主力产品，本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。

2024-12-12

三菱电机工业 SiC 芯片技术

用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台

在现代ULSI电路中沟道热载流子（CHC）诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子（动能非常高的载流子）由于原子能级碰撞的冲击电离，可以在漏极附近产生电子—空穴对。

2024-12-12

矩阵开关热载流子

首页上一页 7 8 9 10 11 12 13 14 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

运算放大器参数的简易测量“指南”

借助热插拔控制器，确保系统持续稳定运行

探究电路里0.1uF和0.01uF电容的共存之谜

为何混合型交流浪涌保护器是浪涌保护首选？

对比双电源分立式和集成式仪表放大器

无辅助绕组 GaN 反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题

如何选择有效的ESD保护二极管

第11讲：三菱电机工业SiC芯片技术

用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台

友情链接(QQ：317243736)