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一文读懂SiC Combo JFET技术
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并联技术 固态断路器解决方案 大电流SiC JFET Combo JFET结构
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控制回路仿真入门：LTspice波特图分析详解
在电源设计中，控制回路的稳定性是确保电源可靠运行的关键。一个设计不当的控制回路可能导致电源振荡、输出纹波过大，甚至降低电磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的响应速度直接影响到电源对负载变化和输入电压波动的适应能力。为了确保电源的稳定性和高效性，控制回路的仿真分析至关重要。
2025-06-25
LTspice 波特图分析 控制回路仿真 开关稳压器 电源稳定性优化 相位裕度 增益带宽
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驯服电源幽灵：为敏感器件打造超低噪声供电方案
在射频通信、精密测量、高分辨率数据采集等尖端领域，毫伏级的电源噪声都可能成为性能的致命杀手。锁相环（PLL）的相位噪声恶化、压控振荡器（VCO）的输出频率漂移、高分辨率模数转换器（ADC）的有效位数（ENOB）下降——这些敏感电路的卓越性能，无一不建立在超低噪声、超高纯净度的电源基础之上。本...
2025-06-24
超低噪声电源设计 射频电源解决方案 μV级电源噪声 低噪声LDO 低噪声电源模块
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攻克次谐波振荡：CCM反激斜坡补偿的功率分级指南
在CCM反激式转换器设计中，峰值电流模式控制（Peak Current Mode Control）因其优异的输入电压抑制能力、固有的逐周期限流保护和相对简化的环路补偿而备受青睐。然而，当占空比超过50%时，系统会出现固有的次谐波振荡不稳定性问题。斜坡补偿技术正是攻克这一难题的核心手段，其设计策略需随功率等级...
2025-06-23
CCM反激 斜坡补偿 反激转换器 次谐波振荡 斜坡补偿设计
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高精度低噪声 or 大功率强驱动？仪表放大器与功率放大器选型指南
在现代电子系统的精密舞台上，两类关键“演员”——仪表放大器（In-Amp）与功率放大器（Power Amp）——扮演着截然不同却都不可或缺的角色。它们虽共享“放大”之名，但设计哲学、核心任务与应用疆域存在本质差异。理解这种差异，是工程师为系统挑选“最佳配角”的关键。
2025-06-20
仪表放大器 功率放大器 高精度放大器 功率驱动电路
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战略布局再进一步：意法半导体2025股东大会关键决议全票通过
意法半导体（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股东大会于荷兰阿姆斯特丹圆满落幕，大会全票通过所有决议案。作为全球多重电子应用领域领导者，此次决议将为公司战略布局注入新动能。
2025-06-20
意法半导体 股东大会
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μV级精度保卫战：信号链电源噪声抑制架构全解，拒绝LSB丢失！
在精密测量、医疗仪器及工业传感系统中，信号链的μV级精度直接决定系统性能上限。而电源噪声，常以隐形杀手的姿态吞噬ADC/DAC的有效位数——当1mV电源纹波可导致12位ADC丢失4个LSB时，电源架构选型便成为精度保卫战的核心战场。本文从噪声频谱与拓扑本质出发，拆解LDO、开关电源及混合架构的噪声基因...
2025-06-19
电源噪声 ADC精度 PSRR优化 信号链噪声抑制 LDO选型 开关电源滤波
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从单管到并联：SiC MOSFET功率扩展实战指南
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。
2025-06-19
SiC MOSFET并联 高功率设计 分立器件优势 功率扩展 热管理设计 并联可靠性
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如何选择正确的工业自动化应用的仪表放大器？
在自动化程度日益提升的工厂环境中，仪表放大器作为微弱信号采集的“感知末梢”，其性能稳定性直接关乎设备运行状态与生产效率。如何正确选择一款坚固耐用、高精可靠的工业级仪表放大器？本文将揭秘工业级仪表放大器的五维选型矩阵与三大致命场景破解方案，助您筑起工业信号链的铜墙铁壁。
2025-06-19
工业自动化应用 仪表放大器选型 工业传感器接口 抗干扰信号调理
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