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Limitless(TM):霍尼韦尔推出新款“LIMITLESS(TM)”无线开关

霍尼韦尔传感与控制部于近日推出一组新的无线限位开关系列，它们既有很大的灵活性，又有适用于在恶劣环境中使用的成熟设计，因而能够提高机器、设备、OEM 厂家和操作员的效率及安全性

2010-05-12

霍尼韦尔无线开关远程监控 cntsnew

手机充电器有望不再标配:年废弃过亿污染大

买手机送充电器，这早已成为通信行业约定俗成的规矩。可每当换新手机时，旧的手机充电器也就随之废弃，不仅浪费资源而且处理不当还会变成电子垃圾污染环境。今年初，工信部明确了手机充电器三段式接口标准。昨日，工信部泰尔实验室主任何桂立透露，这一标准未来有望被写入手机入网许可的相关政策，...

2010-05-12

手机充电器标配年废弃

LED背照灯液晶电视已成大趋势下一个发展趋势是什么

日本Techno System Research的林秀介在举行的“第7届TSR研讨会2010”上，介绍了高速增长的LED背照灯液晶电视的下一个发展趋势。本文将介绍LED背照灯液晶面板技术。

2010-05-12

LED 液晶电视

安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖

应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ONNN )宣布荣获全球领先的无线通讯技术产品和服务提供商龙旗控股(简称“龙旗”)颁发的“2009年度优秀供应商”奖。

2010-05-12

安森美龙旗绿色电子产品 “优秀供应商”奖

安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖

2010-05-12

安森美龙旗绿色电子产品 “优秀供应商”奖

安森美半导体荣获龙旗控股颁发 “优秀供应商”奖

2010-05-12

安森美龙旗绿色电子产品 “优秀供应商”奖

ST发布高性能功率封装可提高MDmesh V功率密度

功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。

2010-05-12

PowerFLAT™ 8x8 HV 封装意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V

ST发布高性能功率封装可提高MDmesh V功率密度

功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。

2010-05-12

PowerFLAT™ 8x8 HV 封装意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V

ST发布高性能功率封装可提高MDmesh V功率密度

功率半导体厂商意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。

2010-05-12

PowerFLAT™ 8x8 HV 封装意法半导体 ST MOSFET MDmesh™ V

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ST发布高性能功率封装 可提高MDmesh V功率密度

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友情链接(QQ：317243736)

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