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如何手动计算IGBT的损耗
现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子，详细介绍一下IGBT损耗计...
2023-02-07
IGBT 损耗
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如何给核心板的底板设计电源？
在选型某一款核心板后，硬件工程师将会针对自己的产品应用设计底板，除了外设的功能电路外，底板电源设计也是一款产品好坏的关键。结合ZLG致远电子的核心板产品，本文将对底板的电源设计提供一些方法及参考。
2023-02-07
核心板 底板 电源
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使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）
本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。本文为第一部分，主要包括隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南。
2023-02-06
栅极驱动器 设计指南
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满足严格效率和性能规格且尺寸要小的电源，需要搭配什么样的控制器？
高性能通信、服务器和计算系统中的ASIC、FPGA和处理器需要使用能直接从12 V或中间总线生成1.0 V（或更低）电压的核心电源——最大负载电流有时候可能高于200 A。这些电源必须满足严格的效率和性能规格，且通常具备相对较小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相双输出降压控制器为这些电源提供高性能的灵...
2023-02-06
电源 控制器
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC MOSFET 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
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瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM发力智能物联时代增量市场
存储器是现代信息系统最关键的组件之一，在当前物联网与人工智能联合推动下的数据爆发时代，存储器行业的“加速键”随之开启。据YOLE统计，自2019年以来，存储器成为半导体增速最快的细分行业，总体市场空间从2019年的1110亿美元将增长至2025年的1850亿美元。细分市场中，以FeRAM（铁电存储）和ReRAM...
2023-02-06
智能制造 新能源汽车 FeRAM
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高压SiC MOSFET研究现状与展望
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件...
2023-02-05
SiC MOSFET 现状
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磁性元件在光伏中的功率转换及应用（上）
经过长期的技术发展——特别是在生态危机、化石能源困境等多个重大关键课题的刺激下，太阳能在以转换效率和成本为核心的技术和商业两方面的关键难点上取得了巨大突破。太阳能是可再生能源和可持续电力设施改造的关键形式、实现碳中和传播的重要途径，这不仅是全球共识，也是美国、欧盟等经济发达国家...
2023-02-05
磁性元件 光伏 功率转换
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稳定性更强的新型无钴锂离子电池正极
目前我们的手机、笔记本电脑和电动汽车的电池都有一个主要缺点：它们都依赖于钴。钴是一种很难找到的金属，主要来自非洲的矿山，钴的采集对于当地环境和矿工来说都存在着不少问题。
2023-02-03
无钴锂离子电池 正极
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
