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电源管理

南方芯源的系列无卤化产品通过可靠性测试

2008年4月， Samwin系列产品的无卤化产品通过可靠性测试，成为国内首家提供全系列无卤产品的MOSFET制造商。其中SW C1N70A(TO-92)产品已通过Apple公司的HF（无卤）认证，SW I2N70(TO-251)已通过Samsung 的HF认证。

2008-04-22

SW C1N70A(TO-92) 无卤 HF SW I2N70(TO-251)

NTUD312x:安森美适合便携电子产品应用超小型MOSFET

安森美半导体推出三款新的采用超小型SOT-963封装的MOSFET，它们均针对空间受限的便携电子产品进行了优化。SOT-963的尺寸为1.0 mm×1.0 mm，这些采用SOT-963封装的NTUD312x新器件仅有0.5 mm的低垂直净距，满足新世代超薄手持便携设备的要求。

2008-04-21

NTUD312x NTUD3127C NTUD3129P MOSFET SOT-963 便携应用

EPCOS新GLONASS导航系统专用SAW滤波器

爱普科斯（EPCOS）已为俄罗斯导航系统GLONASS（全球导航卫星系统）研发出一款专用SAW滤波器，它具有非常高的邻道选择性。这一性能特别重要：因为其与相邻的提供电话服务的Inmarsat（国际海事卫星）仅有15 MHz的频率间隔。

2008-04-16

GLONASS导航系统 SAW滤波器声表面型滤波器

VMMK-1218/25:安华高面向无线通信应用超小FET产品

Avago宣布，推出超小封装尺寸场效应晶体管产品VMMK-1218和-1225，占用空间只有标准SOT-343封装的5%以下，带来具备高频工作能力和卓越散热效果的小型化晶体管产品。这些器件不需要负电压就能工作，为射频应用设计工程师带来成本更低并且使用更容易的好处。

2008-04-11

VMMK-1218 VMMK-1225 场效应晶体管 FET

Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET

日前，为满足对便携式设备中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，该器件采用 MICRO FOOT芯片级封装，具有超薄厚度及最低导通电阻。

2008-04-09

Si8441DB Si8451DB 功率MOSFET

MAX4888A/MAX4889A：Maxim PCIe高速无源开关

Maxim推出MAX4888A/MAX4889A高速PCI Express (PCIe)无源开关，能够切换速率在5.0Gbps的数据。这两款无源开关支持PCIe 2.0数据切换，具有较低的功耗，并且提供按信号流向的引脚配置以优化PCB布板。

2008-04-07

MAX4888A MAX4889A PCI Express (PCIe)无源开关 DisplayPort

B3292*E/F系列：EPCOS新薄膜电容器

凭借新款B3292*E/F系列，爱普科斯(EPCOS) 现可供应支持高达45μF容值的X2防护级电容器。该元件专用于305V交流电和110℃的跨线应用，并且已经通过IEC60384-14、UL1283和CSA 22.2第8级别的认证。

2008-04-01

B3292*E/F 薄膜电容器

MAX4929E：Maxim新低频HDMI/DVI控制开关

Maxim推出MAX4929E低频HDMI/DVI控制开关。该器件能够在进入单个显示器的两路数字视频信号之间进行切换，或在多个HDMI/DVI连接器之间切换，并保持高度的信号完整性。

2008-03-27

MAX4929E HDMI/DVI控制开关

Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，该器件具有破纪录的导通电阻规格及导通电阻与栅极电荷乘积。

2008-03-26

Si7192DP 功率MOSFET Siliconix TrenchFET

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