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电源管理

美高森美全新IGBT用于大功率、高性能的工业应用

美高森美宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。全新25A、50A和 70A IGBT器件设计用于大功率、高性能的工业应用。

2013-04-07

美高森美 IGBT

32kHz MEMS振荡器横空出世，石英蒙上退场阴霾

传统主宰智能手机市场的石英晶体谐振器因着SiTime革命性的SiT15xx系列32 kHz MEMS振荡器而蒙上退场阴霾，因为与最小的5平方毫米石英谐振器相比，SiT15xx占位面积还能小70％，功耗也降低50％，而且性能指标全面超越，替代无法阻挡。

2013-04-07

MEMS 振荡器石英振荡器 SiTime

LED驱动电源知识集锦，看你知道多少

本文集锦了LED驱动电源设计及应用中的各种问题、方法及技巧，例如：LED驱动电源的分类、LED驱动电源的特点、确定LED驱动电源质量的七大原则、LED驱动电源常见难题解答以及LED驱动电源电路保护方法等，看看你知道多少？

2013-04-03

LED 驱动电源

Linear推出纤巧型精准的低频时钟

近日，Linear推出简单、准确的低频时钟 LTC6995，该器件可针对长持续时间上电复位和看门狗定时器应用独特地进行配置，适合于要求苛刻的汽车和工业应用。

2013-03-30

Linear 低频时钟

SiC BJT：史上最高效率的1200V功率转换开关

飞兆半导体最近推出的碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)将成为IGBT的下一代替代技术，它可以在更高的温度下转换更高的电压和电流。它允许更高的开关频率，但能保持相同或更低的开关和导通损耗，从而允许使用更小的电感、电容和散热器，不仅可降低系统BOM成本，而且可在相同外形因子下提高输出功率，或...

2013-03-29

飞兆半导体 IGBT 碳化硅双极结型晶体管

集成DC/DC驱动器及MOSFET VR功率级的DrMOS器件

英飞凌近日在2013应用电力电子会议暨展览会中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。

2013-03-28

英飞凌 DrBlade DC/DC MOSFET

【设计指南】如何控制运算放大器增益误差

在增益单元中设计某个放大器时，为这项工作选择备选放大器时您需要了解一些事情。您的信号最大带宽 (SBW) 是多少？放大器闭环噪声增益 (NG) 是多少，以及考虑中的放大器的增益带宽产品 (GBWP) 是什么？

2013-03-25

运算放大器增益误差设计指南

【知识普及】高频开关电源的组成及分类

电子装置小型轻量化的关键是供电电源的小型化，因此需要尽可能地降低电源电路中的损耗。开关电源中的调整管工作于开关状态，必然存在开关损耗，而且损耗的大小随开关频率的提高而增加。另一方面，开关电源中的变压器、电抗器等磁性元件及电容元件的损耗，也随频率的提高而增加。

2013-03-25

高频开关电源开关电源 DC/DC变换器

可实现更高系统效率及更小系统尺寸的碳化硅MOSFET

科锐宣布量产第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸，可为OEM厂商带来更低的系统成本。

2013-03-25

系统效率系统尺寸碳化硅MOSFET

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