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电源管理

选择高压场效应管实现节能的技巧

高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力，能够帮助工程师避免许多问题，并实现效率最大化。本文讲述高压场效应管如何实现节能。

2010-06-18

场效应管 MOSFET 结温度

IGBT软开关在应用中的损耗

本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200VRC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。

2010-06-18

IGBT 软开关损耗 TrenchStop RC-IGBT

薄膜电池市场份额扩张难加速

转化率的提升无疑对薄膜电池的竞争力加分不少。然而，专家认为，由于综合成本未实现全面下降，技术受制于人和稳定性不足，薄膜电池的市场份额提升仍面临着较大的阻力。

2010-06-18

薄膜电池扩张晶硅电池转换率

物联网家电：理想照进现实还需三五年

物联网概念风起云涌，“钱”景无限惹来众多家电企业抢滩。然而囿于目前行业标准缺失，整体互联上下游商业模式并未成熟，物联网家电从科技走向真正商业化尚需时日。海尔集团U-home本部总经理李莉估计整个的实现过程可能要三至五年。

2010-06-18

物联网家电商业化抢滩

无刷直流电机的无位置传感器控制

无刷直流电机的无位置传感器控制的难点在于转子位置信号的检测，目前国内外研究人员提出了诸多方法，其中反电动势法最为简单、可靠，应用范围最广泛。普遍采用的控制方案为基于DSP的控制和基于专用集成电路的控制等，但是其价格高、体积大，不利于用在微型电机控制器中。本文介绍基于C8051F330单片...

2010-06-16

无刷直流电机传感器 PWM

马达设计的技巧

现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物理性质和所选封装的形状，也要求电路板上有足够的位置空间。本文为你讲解马达设计...

2010-06-15

马达布局约束变频器

安森美半导体收购SDT 医用助听器DSP技术实力得到强化

安森美半导体宣布收购Sound Design Technologies, Ltd.（SDT），收购将有助于增强安森美半导体在助听器及音频处理应用超低功耗DSP技术实力，SDT将被纳入安森美半导体位于加拿大安大略省滑铁卢的医疗部。

2010-06-13

助听器高密度封装安森美半导体

汽车级IGBT在混合动力车中的设计应用

根据不同车辆设计，逆变器可能放置在汽车尾箱、变速箱内或引擎盖下靠近内燃机的位置，因此IGBT模块要经受严峻的温度(-40℃～150℃)和机械条件(振动、冲击)的考验。本文为你介绍汽车级IGBT在混合动力车中的设计应用。

2010-06-13

IGBT 混合动力车逆变器

Fairchild推出自动选择高速USB开关FSA2000

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)专注开发提升用户满意度以及使产品取得市场成功的模拟和功率功能，为手机设计人员提供一款集成有无电容耳机音频放大器的自动选择高速USB开关FSA2000.

2010-06-13

Fairchild 自动选择 USB开关 FSA2000

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