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就在下周！ESIS 2026第五届中国电子半导体数智峰会，3.26上海见

3月26日，由信息侠主办，浙江省数字经济联合会与徽联智汇协办的ESIS 2026第五届中国电子半导体数智峰会将在上海盛大启幕。

2024-03-17

ESIS 2026

800V架构下，给连接器带来了哪些“改变”？

众所周知，新能源汽车用连接器的作用主要是保证整车高压互联系统，即在内部电路被阻断或孤立不通处架起桥梁从而使电流流通，通过独立或与线缆一起，为器件、组件、设备、子系统之间传输电流或光信号，并且保持各系统之间不发生信号失真和能量损失的变化，是构成整个完整系统连接所必须的基础元件。...

2024-03-13

架构连接器

功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。之前我们讨论过功率MOSFET的雪崩效应，今天，我们将继续分享相...

2024-03-12

功率MOSFET UIS

人工智能已悄然成为 RECOM工程师的最强大脑

乍一看，人工智能 (AI) 和电源设计似乎没有太多共同之处。然而，RECOM 已经在至少三个不同领域积极应用人工智能技术，旨在提升我们的产品和服务质量。请继续阅读，了解人工智能、电力和 RECOM 如何变得密不可分。

2024-03-06

人工智能电源设计

使用大面积分析提升半导体制造的良率

设计规则检查 (DRC) 技术用于芯片设计，可确保以较高的良率制造出所需器件。设计规则通常根据所使用设备和工艺技术的限制和变异性制定。DRC可确保设计符合制造要求，且不会导致芯片故障或DRC违规。常见的DRC规则包括最小宽度和间隔要求、偏差检查以及其他规格，以避免在制造过程中出现短路、断路、...

2024-03-05

半导体制造芯片

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。

2024-03-04

功率MOSFET 雪崩效应

村田提供《优化下一代数据中心 AI 服务器的供电网络技术指南》助力数据中心电力稳定化

株式会社村田制作所（以下简称“村田”）开始提供《优化下一代数据中心 AI 服务器的供电网络技术指南》 (1)（以下简称“本资料”）。

2024-03-03

株式会社村田制作所

多通道优先级放大器的设计与应用

模拟优先级放大器最初是作为多输出电源的一部分进行设计，其中稳压操作基于最高优先级通道的电压。该放大器的另一个应用是带电子节气门控制的引擎控制系统，其中引擎需要对多个输入命令中优先级最高的一个作出响应。

2024-03-01

多通道放大器

意法半导体和Mobile Physics合作开发EnviroMeter，让手机具有准确的空气质量监测功能

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)和环境物理学的软件开发初创公司Mobile Physics宣布了一项排他性合作协议，合作开发一个用智能手机内置光学传感器测量家庭和环境的空气质量的应用软件。

2024-03-01

意法半导体 Mobile Physics EnviroMeter 手机空气质量监测

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