【导读】IGBT关断损耗大、拖尾严重制约了其在高频运用的发展,而造成IGBT延迟开和关的原因主要有两方面。本文将分别针对这两方面,提出相应的解决方法,解决器件拖尾问题,提升IGBT开关速度。
IGBT关断损耗大、拖尾是严重制约高频运用的拦路虎。这问题由两方面构成:
1)IGBT的主导器件—GTR的基区储存电荷问题。
2)栅寄生电阻和栅驱动电荷,构成了RC延迟网络,造成IGBT延迟开和关。
这里,首先讨论原因一的解决方法。解决电路见图(1)。
图1:提升IGBT开关速度技巧(一)
所谓基区储存效应造成的拖尾,是由于GTR过度饱和,基区N过度转换成P型。在关断时,由于P型半导体需要复合成本征甚至N型,这一过程造成了器件的拖尾。
图2:提升IGBT开关速度技巧(二)
这种方式已经在逻辑IC里盛行。现在的超高速逻辑电路都采用这种结构,包括电脑中的CPU!我们已享用此原理,却并不知道。
相关阅读:
使用和设计IGBT新方法
http://www.cntronics.com/cp-art/80019998
IGBT的四大保护措施
http://www.cntronics.com/motor-art/80011655
半月谈:IGBT应用设计全面剖析
http://www.cntronics.com/power-art/80020864
大功率开关电源IGBT短路保护的三种设计方法
http://www.cntronics.com/cp-art/80019306