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我国电子信息产业进出口仍将稳步发展
在日前举办的“2008中国电子信息产业高峰论坛”上，商务部部长助理崇泉表示，目前，我国电子信息产业从高速增长转变为中速增长，增速趋于平稳，但是中国作为世界电子信息产品制造中心的地位不会改变。目前，我国电子信息产业形成了全方位、多层次的开放格局。随着经济全球化的深入发展，我国电子信息...
2008-10-24
电子信息产业
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电子产品的静电放电保护（一）
本文第一部分介绍了电子行业的四个长期技术和应用趋势以及静电放电(ESD)保护对耐用电子设计的重要性，举例说明了ESD闪击可能引发的故障机制，以及一些定义测试仪器和测试协议的常见标准，最后介绍了分流型保护器件的关键参数；第二部分介绍最常见的分流时间瞬态抑制器，并探讨如何为其中广泛应用的...
2008-10-24
ESD 耐用电子设计 故障机制 分流型保护器件 分流时间瞬态抑制器
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功率器件热设计及散热计算
本文主要探讨电子设备热失效的问题，通过对功率器件发热原理的分析和散热的计算，得出散热方式的设计和散热器的选择。
2008-10-24
热设计 功率器件 散热计算
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软性印刷电路板将走向良性发展
软性印刷电路板 (FPC)产业2005、2006年大幅扩产，导致削价竞争严重，经过近两年的调整加上受上半年整体景气衰退影响，中国大陆不少小型软板厂陆续倒闭，欧美及日系厂商降低软板比重，整体产业供给进入稳定状况。
2008-10-23
软性印刷电路板 FPC
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江西首个多晶硅生产项目在樟树正式投产
10月23日，引进世界领先技术、一期总投资达5000万美元，年产多晶硅500吨、三氯氢硅1.6万吨的江西通能硅材料有限公司多晶硅生产项目在江西樟树正式投产，这是江西省首个投产的多晶硅生产项目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氢硅
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高分子PTC热敏电阻工作原理介绍
本文主要介绍高分子PTC热敏电阻的工作原理及其环境影响因素。首先分析了高分子PTC热敏电阻用于过流保护的工作原理，其次分析了环境温度对高分子PTC热敏电阻的影响，最后介绍了高分子PTC热敏电阻动作后的恢复特性。
2008-10-23
高分子PTC热敏电阻 过流保护 环境影响
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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过压保护的备用电路: 技巧和窍门
过压保护(OVP)器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏，在某些特定的应用中，基本的过压保护电路不足以胜任器件保护的要求，通常有以下两种需求。第一，电路的最大输入电压可能增大；第二，适当修改电路，可以在发生过压或欠压时利用输出电容储能保持能量。本文讨论如何针对这两种需求修改...
2008-10-23
过压保护 电路 MOSFET
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静电在LED显示屏生产过程中的危害及防护措施
如何规范化生产，如何生产出真正意义上的低衰减、长寿命的 LED显示屏产品？本文仅从LED显示屏生产过程的静电防护角度，讨论该过程静电带来的危害及其防护方法。
2008-10-23
静电 LED 防护措施 危害
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