碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200V MOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率，而每安培成本仅为上一代产品的50%。更高的性价比使得新型碳化硅MOSFET器件可为OEM厂商带来更低的系统成本，并且由于基于碳化硅的系统尺寸更小、重量更轻，能够提高效率并降低安装成本，从而为最终用户节省额外费用。

德国弗莱堡 Fraunhofer研究所著名业界专家Bruno Burger教授指出：“我们已经在我们新型先进太阳能电路中对科锐第二代碳化硅 MOSFET器件进行了评估，科锐的产品拥有顶尖水平的效率，可以使得系统在更高开关频率下进行工作，从而实现更小的无源器件尤其是更小的电抗器。这将从根本上提高太阳能逆变器的性价比，从而获得更小、更轻以及更高效的系统。”

新型碳化硅MOSFET器件出色的性能可以降低某些大功率应用领域对功率器件50%-70%的额定电流需求。经过适当的优化，客户能以与硅器件方案相当甚至更低的成本得到碳化硅器件所带来的系统性能优势。对于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统，性能提升的同时伴随着尺寸和重量的减少。在电机驱动应用方面，在增加效率的同时可以达到一倍以上的功率密度，与硅器件相比能提供高达两倍的输出扭矩。该产品覆盖范围已经扩展到25 mΩ芯片，目标定位30 KW以上电源模块市场。80 mΩ器件的目标定位是作为第一代MOSFET 器件的升级产品，以更低的成本提供更高的性能。

科锐功率与射频器件副总裁兼总经理Cengiz Balkas表示：“基于科锐新型MOSFET平台，我们已经在多个细分市场获得成功案例，由于市场对第二代碳化硅 MOSFET器件接受迅速，我们目前可以提前给到客户一些产品，同时我们也正在加速量产以满足客户的需求。”

一颗25 mΩ裸片可为大功率模块提供50 A单元。80 mΩ MOSFET器件采用TO-247封装，较科锐第一代MOSFET CMF20120D产品，得到更高性能和更低成本。