【导读】飞兆半导体最新推出的FDMQ86530L 60V四路MOSFET采用其GreenBridge技术，改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率，将功耗降低了10倍，该器件采用4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装，实现了最小尺寸、最大热性能和最高效率。
高分辨率、紧凑有源整流桥应用（如网络摄像机）中的过热可能导致图像质量问题。 同样，热致噪声可能影响系统的图像传感器，也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量，占用电路板空间，让这些设计变得更复杂。飞兆半导体的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装，有助于克服这些严峻的设计挑战。
飞兆FDMQ86530L 60V四路MOSFET
FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成，采用飞兆GreenBridge技术，改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率，将功耗降低了10倍。 该器件采用热增强、节省空间的4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装，免去了散热需要，实现了紧凑设计，提高了12和24V AC应用中的功率转换效率。
FDMQ86530L产品是飞兆半导体全面的分立式MOSFET产品组合的一部分，再次体现了公司承诺：即提供最具创新的封装技术，以目前最先进的系统实现最小尺寸、最大热性能和最高效率。
FDMQ86530L产品规格：
最大RDS(ON)= 17.5 mΩ（VGS= 10V，ID= 8A）
最大RDS(ON)= 23 mΩ（VGS= 6V，ID= 7A）
最大RDS(ON)= 25 mΩ（VGS= 4.5V，ID= 6.5A）
FDMQ86530L产品报价信息及交货期
FDMQ86530L产品订购1K以上，价格为1.38美元，收到订单后8-12周内可交货。
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