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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言，始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通过仿真和应用测试，对英飞凌全新TRENCHSTOP™ 1700V IGBT7技术以及对应的同类最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模块 性能
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这个技术，改善你的电源系统设计！
随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，因此这些器件需要的功率急剧增加。微处理器所需的这种电源由稳压器模块(VRM)提供。
2022-09-20
电源系统 设计 ADI
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电动汽车充电的三大设计注意事项
用于商业和住宅用途的典型电动汽车 (EV) 充电站设计包括电能计量、剩余电流检测（交流和直流）、隔离安全合规性、继电器和接触器，还具有驱动功能、双向通信以及服务和用户界面。虽然充电站的目标是高效地将电力传输到车辆，但实现电力传输是其最初的功能。
2022-09-20
电动汽车 充电 设计
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关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响
本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短期俘获和释放引起的。因此，关断时的栅极电压欠冲会对碳化硅（SiC）MOSFET的开关特性产生影响。
2022-09-20
栅极电压欠冲 SiC MOSFET 导通
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打破电动汽车“里程焦虑”，主驱能效如何升级？
因续航能力有限而导致的“里程焦虑”是许多消费者采用电动车的一个障碍。增加电池密度和提高能量转换过程的效率是延长车辆续航能力以缓解这种焦虑的关键。能效至关重要的一个关键领域是主驱逆变器，它将直流电池电压转换为所需的交流驱动，以为电机供电。
2022-09-19
电动汽车 主驱能效
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TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
功率开关器件（如MOSFET, IGBT）广泛应用于新能源汽车、工业、医疗、交通、消费等行业的电力电子设备中，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。因此，实现更低的开关损耗和更低的导通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封装 MOSFET 源极管脚
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了解为高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的挑战
了解为当今高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的关键挑战，是设计一个满足每位设计工程师要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的优化的电源系统方案的关键要素。电源系统设计人员需要知道不同应用中的电源方案有何不同，比方说，一个800万像素（MP）的相机与一个5000万像素的相机的电源方案有何不同...
2022-09-15
CMOS 图像传感器 供电方案
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安森美获蔚来“守望奖”
中国上海—2022年9月13日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在蔚来于2022年7月30日举行的合作伙伴大会上获其授予“守望奖”。作为蔚来体系中值得信赖的关键技术供应商，安森美通过多种渠道确保对蔚来的供货支持，包括专职负责顺利生产和交付流程的小组。
2022-09-14
安森美 蔚来 SiC模块
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度变频器ACS180系列
变频器是各行业中至关重要的节能设备，ABB传动一直致力于用先进的产品和技术，创新的解决方案为客户创造价值，提高生产效能水平，助力变频器产业升级。
2022-09-14
ABB IGBT7 变频器
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