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电源管理

设计新思路:高效中频熔断电源设计

广大工程师都有这样一个困扰，常规晶闸管并联谐振中频电源存在的在熔炼期内输出功率达不到额定功率，针对这一问题，本文设计了一种对DC/AC逆变器采用调节功率角φ的触发控制电路，配合原有的AC/DC相控双闭环控制电路，可以使中频熔炼电源实现高效控制。

2013-05-17

中频电源晶闸管

新型电源栅极驱动器设计

高功率电平带来更高的系统电压，转换器内所用各种组件的切断电压也更高。单通道UCC27531作为一种小型、非隔离式栅极驱动器，它的高电源/输出驱动电压范围为10到35V，让其成为12V Si MOSFET应用和IGBT/SiC FET应用的理想选择。

2013-05-17

IGBT MOSFET 电源栅极驱动器

孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?

工程师常常认为当应用需要更高电压时，使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势。但是，如果只是考虑开关品质因数，相比先进的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了。GaN场效应晶体管与硅功率器件中低压降压转换器应用中的性能到底怎样？且听本文细细分解。

2013-05-16

氮化镓场效应晶体管硅功率器件

Vicor零电压DCDC转换器挑战环境严苛、空间受限应用

Vicor扩展Picor旗下的隔离式Cool-Power ZVS DC-DC转换器，提供高密度 (334 W/in3) 方案。该转换器连接QuietPower有原EMI滤波器, 将进一步提升整个的模块式方案的性能,适合严苛的，空间受限的工业和航空、国防应用。

2013-05-15

转换器电源滤波器 Vicor

硅功率MOSFET前景堪忧？

30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？

2013-05-15

MOSFET 电源转换 GaN

实例讲解：基于LTM4620的电源稳压器设计

设计师都希望能够找到准确和能在低电压提供大的负载电流同时占用很少系统电路板空间的电源解决方案。本文介绍的一种新的高密度和可扩展的 LTM4620 微型模块稳压器，具备卓越的电气性能、低功率损耗和独特的耐热增强型封装设计，可帮助克服高功率密度挑战。

2013-05-15

稳压器电源稳压器 LTM4620 Linear

第三讲：基于MOSFET的高能效电源设计

通过结合改进的电源电路拓扑和概念与改进的低损耗功率器件，开关电源行业在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在经历革新性发展。MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量损耗，极大的提高了电源能...

2013-05-14

MOSFET 高能效电源

可满足新一代平板电脑充电器需求的15A超级势垒整流器

近日，Diodes公司新推出一款额定电流值15A的超级势垒整流器SBR15U50SP5，该整流器采用PowerDI-5封装，使充电器的设计更细小纤薄。十分适用于新一代智能手机及平板电脑充电器。

2013-05-14

整流器充电器平板电脑

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