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2010年便携式电脑年增长率将达26% 平板电脑出货量超5百万
根据DisplaySearch第一季度Quarterly Advanced Notebook PC Shipment and Forecast Report，便携式电脑市场预期在2010年增长到2亿1千5百万台，营业额达1千170亿美金。Apple iPad与其它电脑品牌陆续推出平板电脑将使得平板电脑市场急剧升温。DisplaySearch认为平板电脑有机会从传统翻盖式笔记本电脑市场取得一些份额，而对于喜爱电子阅读器消费者而言平板电脑也将是另一个好选择。同时基于Apple公司主要销售计划与已知与内容服务商之间合作协议，我们估计初期大部分平板电脑将以北美与西欧市场为主。
2010-04-19
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国际 RFID 领导厂商恩智浦半导体、台扬、AMS、RF-iT 新产品发表
-- 携手打造“物联网”的美梦RFID 国际领导厂商恩智浦半导体 (NXP Semiconductors)、台扬科技、奥地利微电子公司(austriamicrosystems, AMS) 及RFiT ，共同展示随插即用(PlugNPlay) RFID 解决方案，向物联网迈进。
2010-04-19
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多晶硅产业将在2011年面临大幅震荡
多晶硅产业将在2011年面临大幅震荡。此结论来源于Bernreuter信息研究公司（以下简称Bernreuter研究）今日发布的最新研究报告《太阳能多晶硅的生产状况》。多晶硅被视为半导体和光伏产业的供给原料，但在该市场于2009年转至供过于求的状态之前，多晶硅一直处于短缺。
2010-04-16
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不断挑战小型化，大河晶振以新的灵感创造最先进的产品
世间的流水滋润着人们的生活，虽然江河日复一日的在流淌，然而每天流着不同的水。大河晶振也犹如汇入江河的源头活水，不断以新的灵感创造着最先进的产品。2010年4月9日，电子元件技术网记者在深圳会展中心第75界中国电子展（CEF）大河晶振（RIVER ELETEC）的展位上现场采访了西安大河晶振科技有限公司总经理久恒理树先生。
2010-04-16
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Vishay为MC AT薄膜电阻增加了新的外形尺寸和精度版本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的电阻器件，扩充了MC AT系列专用薄膜贴片式电阻。此外，该系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已经发布了。
2010-04-14
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SiA975DJ：双路12V P沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双路12V P沟道TrenchFET功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装。
2010-04-13
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次世代IPTV技术概览
本文介绍利用IP网路与利用光纤到家（FiberToTheHome）技术，提供影像传送服务的IPTV技术动向与功能。今后基于与内容保护、存取控制的CAS（ConditionalAccessSystem）、H.264/AVCTransCoder等外部系统整合的需求，必需开发安全、高品质次世代IP播放服务相关技术。
2010-04-13
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USB3.0的物理层测试探讨
USB(Universal Serial Bus)即通用串行总线，用于把键盘、鼠标、打印机、扫描仪、数码相机、MP3、U盘等外围设备连接到计算机，它使计算机与周边设备的接口标准化。在USB1.1版本中支持两种速率：全速12Mbps和低速1.5Mbps；而USB2.0中支持三种速率：高速480Mbps、全速12Mbps、低速1.5Mbps。在2002年Intel把USB2.0端口整合到了计算机的南桥芯片ICH4上，推动了USB2.0的普及，目前除了键盘和鼠标为低速设备外，绝大多数设备都是速率达480M的高速设备。
2010-04-12
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Vishay推出具有业内最高容值的新款液钽电容器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出通过了DSCC Drawing 10004认证的超高容值液钽电容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有业内最高的容值，采用轴向T1、T2、T3和T4外形编码。对于高可靠性应用，扩展的SuperTan® 10004采用玻璃至金属的密封封装，工作温度范围为-55℃~+85℃，电压降额情况下的温度可达+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
2010-04-09
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Vishay Siliconix 推出新款500V N沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。
2010-04-08
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2009年度全球10大太阳能电池厂排名出炉
目前正值各大太阳能企业发布2009年年报以及知名分析机构、专业期刊公布2009年全球太阳能电池厂商排名期间。根据国际分析机构Phonoton International的数据，综合各家知名太阳能电池厂商所公布的产出，以及参考分析机构的统计数据，2009年全球太阳能电池10大供应商的排名出炉了。
2010-04-07
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应材CEO：半导体设备市场整合期来临
华尔街日报(WSJ)访问应用材料(AppliedMaterials)执行长 MikeSplinter指出，半导体设备产业购并潮即将到来，半导体设备产业需要透过整并来维持成长速度。
2010-04-06
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