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基于CoolSiC的高速高性能燃料电池空压机设计
燃料电池用空压机开关频率高，空间有限，集成度高，采用单管设计的主要挑战是如何提高散热效率。本设计中功率器件和散热器采用DBC+焊接工艺，提高了SiC MOSFET的输出电流能力，从而有效降低了系统成本的，并且简化安装方式。
2022-03-03
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【微控制器基础】——从历史切入，了解微控制器的五个要素（上）
要说起微控制器的历史，就不得不提起距今51年前的1971年，那时，美国英特尔公司开发了第一款名为i4004d的4位微控制器。它由一家日本BUSICOM公司订购，并用于其计算器设计。后来因为合同变更，它成功地作为通用微控制器正式出售。随后英特尔又开发了“i8008”、“i8080A”和“i8085”等8位微控制器，继这之后，英特尔公司又开发了16位微控制器“8086”，自此微控制器开启了多样化发展之路。
2022-03-02
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英飞凌650V混合SiC IGBT单管助力户用光伏逆变器提频增效
户用光伏每年装机都在高速增长，单相光伏逆变器功率范围基本在3~10kW，系统电路示意框图如图1所示，从光伏电池板经过逆变器中DC/DC，DC/AC电路实现绿电的能量转换，英飞凌能提供一站式半导体解决方案包括650V功率器件、无核变压器CT技术驱动IC、主控制MCU和电源管理芯片等。
2022-03-01
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贸泽赞助的Vasser Sullivan Lexus车队在IMSA本赛季开幕战中表现出色
2022年2月28日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 祝贺Vasser Sullivan Lexus车队在代托纳（佛罗里达）国际赛道举办的2022年IMSA WeatherTech跑车锦标赛开幕战中取得佳绩。
2022-02-28
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面向电源电路的MLCC解决方案
在车载领域，车载ADAS ECU和自动驾驶ECU等需要高级图像处理系统的CPU和FPGA，随着系统的高性能化和高功能化，需要高速运行和大电流驱动。另外，在ICT领域，服务器等需要大功率的成套设备则需要可支持大电流的电源配置。如上所述的高性能、高功能化系统的电源线就有着高速动作、大电流化的倾向。同时，需要使用因处理器小型化而降低的公称电压保持在较窄的容许范围内的电源配置。
2022-02-28
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4通道QFN封装射频GaAs 多功能MMIC
用于为Ku波段卫星移动通信有源相控阵天线被用于接收和发射MMIC多功能芯片使用开发0.25 微米的p HEMT的商业方法。多功能芯片由4通道分合路组成，每个通道提供多种功能，例如6位数字相移功能，5位数字衰减功能和信号放大功能。将MMIC多功能芯片组装在尺寸为7 mm×7 mm的商用QFN封装中后，对其进行测量，该芯片的尺寸为27 mm^2（5.2 mm×5.2 mm）。
2022-02-28
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10万平米、9大展区！CITE2022展区设置图来了
第十届中国电子信息博览会（CITE2022）展示面积达100,000平米，展示领域紧跟行业重点，并根据行业实时热点融入新的展示领域，涵盖智慧家庭、智能终端、5G、人工智能、物联网、第三代功率半导体、IC设计、超高清视频、3D玻璃盖板、半导体显示屏、AR/VR、AI+数字孪生、机器人、消费电子、大数据与存储、车联网、自动驾驶、传感器、跨境生态、燃料电池、充电技术、工业互联网、信息技术应用创新产、基础元器件、特种元器件等热门话题。
2022-02-24
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Silicon Labs CTO：Matter标准将加速推进智能家居和物联网应用
经历了2021的全球缺芯潮，我们迎来了2022 年，今年，世卫组织认为新冠疫情会得到控制，随着疫情影响减弱，以及AIOT、智慧家居市场、老年健康市场走热，半导体产业会有哪些新的变化？电子创新网采访数十位半导体高管，并以"行业领袖看2022”系列问答形式向业界传达知名半导体眼中的2022 ，这是该系列第五篇报道---来自Silicon Labs首席技术官Daniel Cooley的答复。
2022-02-18
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Digi-Key 宣布与 SPARK Microsystems 达成全球分销协议
全球供应品类极丰富、发货超快速的现货电子元器件分销商Digi-Key Electronics，日前宣布与SPARK Microsystems达成全球分销协议，为高性能个人局域网和物联网连接设备提供超低功耗无线通信器件。
2022-02-17
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集成驱动器！原来，GaN电源系统性能升级的奥秘在这里~
如今，以GaN和SiC为代表的第三代半导体技术风头正劲。与传统的半导体材料相比，GaN和SiC禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小、抗辐射能力强……因此可实现更高的功率密度、更高的电压驱动能力、更快的开关频率、更高的效率、更佳的热性能、更小的尺寸，在高温、高频、高功率、高辐射等功率电子应用领域，不断在向传统的硅基IGBT和MOSFET器件发起强劲的冲击。
2022-02-17
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SiC MOSFET模块的硬并联
以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联，给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并联使用的可行性。
2022-02-17
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贸泽与Qorvo携手推出全新电子书探索电子设计中的电源效率
专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Qorvo®携手推出全新电子书《Powering Up Your Design》（让电源管理为设计注入活力），重点介绍新一代技术和器件如何受益于高效电源管理。本书中，来自Qorvo和贸泽的行业专家对电源管理中至关重要的元件、架构和应用进行了深入分析。
2022-02-17
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