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电磁兼容EMC中的屏蔽技术分析
电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽三种情况。本文描述了静电屏蔽、静磁屏蔽、电磁屏蔽的物理内容、物理条件、屏蔽作用等以及它们之间的联系。
2008-10-12
静电 屏蔽 静磁 电磁
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电磁兼容EMC中的屏蔽技术分析
电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽三种情况。本文描述了静电屏蔽、静磁屏蔽、电磁屏蔽的物理内容、物理条件、屏蔽作用等以及它们之间的联系。
2008-10-12
静电 屏蔽 静磁 电磁
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电磁兼容EMC中的屏蔽技术分析
电磁场的屏蔽可分为静电屏蔽、静磁屏蔽和电磁屏蔽三种情况。本文描述了静电屏蔽、静磁屏蔽、电磁屏蔽的物理内容、物理条件、屏蔽作用等以及它们之间的联系。
2008-10-12
静电 屏蔽 静磁 电磁
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RFID 技术原理及其射频天线设计
首先简要介绍RFID 技术的基本工作原理,然后介绍了几种基本的RFID 射频天线及其工作原理,并针对普遍使用的偶极子天线在RFID 系统中方向性上的不足提出改进,最后,给出一个具有全向收发功能的RFID 天线设计.
2008-10-12
RFID 技术 天线 偶极子
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1.9GHz基站前端射频LNA仿真与实现研究
本文给出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射频低噪声放大器的设计。E-pHEMT管的低噪声系数和高OIP3使它在高动态范围电路设计上具有很大的优势,并且该放大器的技术指标达到了CDMA基站的接收前端对低噪声放大器的规范要求,具有很好的应用前景。
2008-10-12
截点 E-pHEMT 平衡结构 LNA 仿真
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阻抗匹配
本文详细讨论了传输线的阻抗匹配问题。重点介绍了串联终端匹配和并联终端匹配，提出将讯号的传输看成软管送水浇花和传输线之终端控管技术。
2008-10-12
传输线 阻抗匹配 讯号 特性阻抗
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RF功率MOSFET产品及其工艺开发
本文通过分析RF功率 LDMOSFET的性能和结构特征，设计出RF 功率 LDMOSFET器件结构，通过工艺和器件模拟确定了关键参数，并设计了一套符合6寸芯片生产线的制造工艺流程，对工艺中的难点提出了解决方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工艺
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运放式射频放大器
本文详细介绍了放大器的基本拓扑和参数，如果价格可以接受的话，运放，特别是CFB运放非常适合射频设计。
2008-10-12
运放 射频 CFB
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CDS2C05HDMI1/CDS3C05HDMI：EPCOS高速数据线ESD防护CeraDiode
爱普科斯现可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特点是标准值为0.6pF的极低的电容值。因此，该类产品适合于高速数据线的ESD防护，如USB、以太网、Firewire、eSATA和HDMI。
2008-10-11
ESD防护 CeraDiode CDS2C05HDMI1 CDS3C05HDMI
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