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采用LFCSP和法兰封装的RF放大器的热管理计算

发布时间:2019-12-25 来源:Eamon Nash 责任编辑:wenwei

【导读】射频(RF)放大器可采用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装,通过成熟的回流焊工艺安装在印刷电路板(PCB)上。PCB不仅充当器件之间的电气互联连接,还是放大器排热的主要途径(利用封装底部的金属块)。
 
本应用笔记介绍热阻概念,并且提供一种技术,用于从裸片到采用LFCSP或法兰封装的典型RF放大器的散热器的热流动建模。
 
热概念回顾
 
热流
 
材料不同区域之间存在温度差时,热量从高温区流向低温区。这一过程与电流类似,电流经由电路,从高电势区域流向低电势区域。
 
热阻
 
所有材料都具有一定的导热性。热导率是衡量材料导热能力的标准。热导率值通常以瓦特每米开尔文(W/mK)或瓦特每英寸开尔文(W/inK)为单位。如果已知材料的热导率,则采用以下公式,以C/W或K/W为单位计算材料单位体积的热阻(θ):
 
http://www.cntronics.com/art/artinfo/id/80037379  (1)
 
其中:
 
Length表示材料的长度或厚度,以米为单位。
 
k为材料的热导率。
 
Area表示横截面积,以m2为单位。
 
温度
 
利用热流量等效于电流量的类比,本身具备热阻且支持热流流动的材料的温差如下:
 
http://www.cntronics.com/art/artinfo/id/80037379
 
器件的热阻
 
器件的热阻相当复杂,往往与温度呈非线性关系。因此,我们采用有限元分析方法建立器件的热模型。红外摄影技术可以确定器件连接处的温度和操作期间封装的温度。基于这些分析和测量结果,可以确定等效的热阻。在对器件实施测量的特定条件下,等效热阻是有效的,一般是在最大操作温度下。
 
参考表1,查看典型的RF放大器的绝对最大额定值表。
 
表1.典型的RF放大器的绝对最大额定值
http://www.cntronics.com/art/artinfo/id/80037379
 
对于LFCSP和法兰封装,假定封装外壳是封装底部的金属块。
 
最高结温
 
在给定的数据手册中,会在绝对最大额定值表中给出每个产品的最大结温(基于器件的半导体工艺)。在表1中,指定的维持百万小时MTTF的最大结温为225℃。指定的这个温度一般适用于氮化镓(GaN)器件。超过这个限值会导致器件的寿命缩短,且出现永久性的器件故障。
 
工作温度范围
 
器件的工作温度(TCASE)已在封装底座上给出。TCASE是封装底部金属块的温度。工作温度不是器件周围空气的温度。
 
如果已知TCASE和PDISS,则很容易计算得出结温(TJ)。例如,如果TCASE=75°C,PDISS=70 W,则可以使用以下公式计算TJ:
 
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考量到器件的可靠性时,TJ是最重要的规格参数,决不能超过此数值。相反,如果可以通过降低PDISS,使TJ保持在最大可允许的水平之下,则TCASE可以超过指定的绝对最大额定值。在此例中,当外壳温度超过指定的最大值85°C时,可使用减额值636 mW/°C来计算最大可允许的PDISS。例如,使用表1中的数据,当PDISS的限值为83 W时,可允许的最大TCASE为95°C。PDISS可使用以下公式计算:
 
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使用此PDISS值,可以计算得出225°C结温,计算公式如下:
 
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器件和PCB环境的热模型
 
为了充分了解器件周围的整个热环境,必须对器件的散热路径和材料进行建模。图1显示了安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的截面原理图。在本例中,裸片生热,然后经由封装和PCB传输到散热器。要确定器件连接处的温度,必须计算热阻。利用热阻与热流,可计算得出结温。然后将结温与最大指定结温进行比较,以确定器件是否可靠地运行。
 
在图1中,器件连接处到散热器的散热路径定义如下:
 
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在典型电路板中,包含多个通孔和多个PCB层。在计算系统截面的热阻时,会使用热电路计算各个热阻,并将串联热阻与并联热阻结合起来,以此确定器件的总热阻。
 
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图1.安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的热模型
 
系统的热阻计算
 
对于每个散热路径,都使用公式1来计算其热阻。要计算得出各个热阻值,必须已知材料的热导率。参见表2,查看PCB总成中常用材料的热导率。
 
表2.常用PCB材料的热导率
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图2基于图1中所示的热模型,显示等效的热电路。TPKG表示封装底部的温度,TSINK表示散热器的温度。在图2中,假设封装(TA)周围的环境空气温度恒定不变。对于外层包有外壳的真实总成,TA可能随着功耗增加而升高。本分析忽略了散热路径至环境空气的温度,因为对于具有金属块的LFCSP和法兰封装,θJA要远大于θJC。
 
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图2.等效的热电路
 
热阻示例:HMC408LP3评估板
 
HMC408LP3功率放大器采用一块0.01英寸厚,由Rogers RO4350层压板构成的评估板。图3所示的接地焊盘面积为0.065 × 0.065英寸,上有5个直径为0.012英寸的通孔。电路板顶部和底部分别有1盎司镀铜(0.0014英寸厚)。通孔采用½盎司铜进行镀层(0.0007英寸厚)。装配期间,会在通孔中填塞SN63焊料。分析显示,几乎所有的热流都会流经焊料填塞的通孔。因此,在本分析中,余下的电路板布局都可忽略。
 
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图3.接地焊盘布局
 
各个热阻都使用公式1计算得出。计算θSN63时,采用的SN63焊料的热导率为1.27 W/inK,长度(或者焊接点的厚度)为0.002英寸,焊接面积为0.004225英寸(0.065英寸× 0.065英寸)。
 
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接下来,以相似方式计算PCB顶部的铜镀层的值。铜镀层的热导率为10.008 W/inK,长度为0.0014 英寸(1盎司铜),镀层面积为0.00366平方英寸(in2)。
 
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对于通孔上铜镀层的面积,采用以下公式进行计算
 
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因为并排存在5个通孔,所以热阻要除以5。所以,θVIACU = 8.05°C/W。
 
以相似方式计算得出通孔的填塞焊料的值。
 
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因为存在5个填塞通孔,所以等效热阻为θVIASN63 = 17.85°C/W。
 
接下来,使用0.01英寸长度、0.016 W/inK的Rogers RO4350热导率,以及0.00366 in2面积计算PCB的热阻。
 
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确定功耗
 
热阻值确定后,必须确定热流(Q)值。对于RF器件,Q的值表示输入器件的总功率和器件输出的总功率之间的差值。总功率包括RF功率和直流功率。
 
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图4.HMC408LP3功耗与输入功率
 
对于HMC408LP3功率放大器,使用公式11来计算图4中所示的PDISS的值。图4显示了放大器的以下特性:
 
• 器件消耗约4 W功率,无RF输入信号。
• 采用RF信号时,PDISS的值由频率决定。
• 存在某一个输入功率,器件的功耗最低。
 
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因为指定的HMC408LP3的最大结温为150°C,所以在PDISS = 4 W时,散热器的温度必须≤71.6°C(也就是说,78.4°C + 71.6°C = 150°C)。
 
HMC408LP3功率放大器正常运行时(例如,输入功率≤ 5 dBm),功耗小于4 W,这表示散热器的温度可以稍微高于71.6°C。但是,如果放大器在深度压缩环境中工作,且输入功率等效于15 dBm,则PDISS升高,且要求散热器的温度低于71.6°C。
 
表3.热工作数据表
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可靠性
 
组件的预期寿命与工作温度密切相关。在低于最大结温的温度下运行可以延长器件的使用寿命。超过最大结温会缩短使用寿命。因此,实施热分析可以确保在预期的操作条件下不会超过指定的最大结温。
 
结论
 
使用采用LFCSP和法兰封装的低结温表贴RF功率放大器来围装热阻迫使PCB不仅要充当器件之间的RF互连,还要用作导热路径以导走功率放大器的热量。
 
因此,θJC 取代θJA,成为衡量LFCSP或法兰封装的重要热阻指标。
 
在这些计算中,最关键的指标是RF放大器的结温或通道温度(TJ)。只要不超过最大结温,那么其他标称限值,例如TCASE,则可以高于限值。
 
 
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