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电源管理

SiB41*DK / SiB911DK：Vishay PowerPAK SC-75封装功率MOSFET系列

Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。

2008-08-20

SiB911DK、SiB415DK、SiB411DK、SiB413DK、SiB419DK、SiB417DK SiB417EDK SiB414DK SiB412DK 场效应管 MOSFET

BTAxxx系列：安森美半导体隔离型三端双向可控硅开关元件

安森美半导体扩充高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC)产品系列，推出12款新的TRIAC，提供8、12和16安培(A)的可用额定功率，具有35和50毫安(mA)的门触发电流(Igt)。这BTAxxx系列器件非常适合于讲究隔离电压、且安全是首要考虑的工业和控制应用。

2008-08-18

可控硅 TRIAC BTAxxx BTBxxx 工业和控制应用

298D系列：Vishay便携应用固体钽芯片电容器系列小封装产品

Vishay宣布扩展其 298D系列 MicroTan™ 固体钽芯片电容器，推出0402 封装尺寸的298D。此电容器充分利用已获专利的MAP（多阵列封装）装配技术以扩展产品系列，现已可在超薄小型0402 K封装中提供4.7µF-4V至10µF-4V的电容电压。

2008-08-15

298D 钽电容器便携应用

微封装晶体管和二极管：安森美半导体便携应用产品

安森美半导体扩充分立器件封装系列，推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列，配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。

2008-08-12

晶体管二极管 NZ9F 低正向压降肖特基二极管齐纳二极管便携应用

EPCOS推出消费和工业电子应用表贴铝电解电容器

爱普科斯(EPCOS) 推出新型表贴铝电解电容器，其电容量范围介于0.1μF至1500μF，适用于4V DC至100 V DC的电压。此新型电容器适用于消费和工业电子领域，是钽电容器的价格合适的替代品。

2008-08-01

铝电解电容器

MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超声应用高速开关

Maxim推出通过高速、20MHz串行接口控制的8通道、高压、低电荷注入SPST开关MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim专有的BCDMOS工艺，集高压、双向DMOS开关及低功耗CMOS逻辑特性于一体，从而实现通过低压控制信号对高压模拟信号的有效控制。

2008-07-30

MAX4800A MAX4802A 高速开关

STV250N55F3：意法半导体新250A功率MOSFET

意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二极管

Vishay宣布推出最大结温高达 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。

2008-07-11

30CTT045 60CPT045 肖特基二极管 diode

150 CRZ系列：Vishay新高性能SMD 铝电解电容器

Vishay宣布已扩展其150 CRZ系列表面贴装铝电容器的功能，使该系列器件能够提供低阻抗值、高电容与纹波电流，以及可实现高振动功能的 4 针脚版本。

2008-07-09

150 CRZ SMD 铝电解电容器

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