电源管理-技术中心-电子元件技术网

电源管理

CSM2512S：Vishay新型表面贴装Power Metal Strip电阻

Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻，该电阻可在额定功率及+70ºC的条件下保持长达2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。

2008-06-27

CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip电阻

STCL1120系列:意法半导体低功耗硅振荡器

意法半导体推出STCL1120系列硅振荡器，新产品启动快速，抗振动、冲击和抗电磁干扰（EMI）能力强，电流消耗低，片选控制功能使电源管理比其它品牌的硅振荡器更加容易，能效更高。

2008-06-24

STCL1120 硅振荡器控制设备

B84143D*R127系列：EPCOS长引出线应用EMC滤波器

爱普科斯阔展了它的3路EMC滤波器系列, 增加了变频器用高性能系列产品。其出色的衰减性能尤其对长电动机引出线有决定性的优势。

2008-06-19

B84143D*R127 SineFormer滤波器 EMC滤波器

Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。

2008-06-18

Si8445DB 功率MOSFET

B82466G0/B82467G0/B82469G1*：EPCOS新电感器系列

爱普科斯(EPCOS)开发出紧凑的小型电感器，其高度仅为1.0毫米，占用面积仅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的电感范围介于0.5至22μH，饱和电流最高为1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分别为2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其饱和电流最高为3.0A。

2008-06-01

B82466G0* B82467G0* B82469G1* 电感器

SiA***DJ：Vishay新型小型封装Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封装、厚度为 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28

SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET

B1642：EPCOS电缆调制解调器用声表面波滤波器

爱普科斯(EPCOS)现可提供B1642声表面波（SAW）滤波器，用于接收宽带电视和接入因特网的电缆调制解调器。该产品专门针对国际第三代有线电缆数据业务接口规范（DOCSIS 3.0标准）而研发,这一规范将主要应用在美国和韩国。

2008-05-21

B1642 声表面波滤波器 SAW滤波器

STC03DE220HV：意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关

意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO复用三路DPDT开关

Maxim推出三路双刀双掷(DPDT)开关MAX4996/MAX4996L，可切换多路高达670MHz的高频信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为2.0Ω)、导通电容(典型值为6pF)和功耗(典型值为3µA)，从而能够实现高频切换。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路双刀双掷(DPDT)开关

首页上一页 1065 1066 1067 1068 1069 1070 1071 1072 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索