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GP2AP012A00F:夏普开发出可检测0.1lx的低照度的近接传感器
夏普将上市集成了照度传感器的新款近接传感器“GP2AP012A00F”。主要特点是可检测0.1lx的低照度,外形尺寸仅为4.4mm×2.6mm×1.0mm。该公司此前产品可检测的照度为3lx,外形尺寸为5.6mm×2.1mm×1.2mm。
2009-12-17
GP2AP012A00F 夏普 近接传感器 照度传感器
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霍尼韦尔推出75 mm线位移智能位置传感器
霍尼韦尔传感与控制部于近日推出75 mm线位移智能位置传感器,这是目前业界最准确的线位移位置传感器(0,05 mm [0.002 英寸]),能够实现高度准确的运动控制,可以提高运行效率和安全性。该传感器简单的非接触式设计可免除防止发生机械故障的机构,减少磨损, 提高可靠性和耐用性,减少停机时间。
2009-12-16
霍尼韦尔 线位移 智能位置 传感器
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我国风电用传感器市场有待发展
国内的电流传感器市场还有待发展,尤其是大电流传感器技术,远远落后于国际水平。由于国内的大电流传感器技术相对不够成熟,国内风电整机厂商在采购大电流传感器时,大多数会选择进口产品,由于进口产品的价格往往高于国内产品的价格,这在一定程度上增加了生产成本压力。
2009-12-16
电流传感器 风电行业 风电用传感器
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日立低价位ESC传感器:确保耐热性及抗振性,可内置于油压单元
日立制作所和日立汽车系统(Hitachi Automotive Systems)于2009年10月宣布共同开发出了ESC用传感器。该传感器的特点是:提高了耐热性及抗振性,可与发动机室内的油压单元一体化。包括组装成本在内,成本有望比原来降低50%。预定2012年开始量产。
2009-12-16
日立 ESC 传感器 MEMS
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IMEC等利用MEMS元件振动发电达85μW
比利时研究机构IMEC、荷兰研究机构Holst Centre与TNO在“2009 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2009)”上宣布,联合开发出了将振动能量转换为电力的MEMS元件,并获得了最大85μW的电力。此前IMEC开发出的MEMS元件中,最大电力为60μW。
2009-12-15
IMEC MEMS元件 发电达85μW
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车用传感器市场前景广阔
传感器是能感受规定的被测量,并能按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置。传感器作为现代科技的前沿技术,被认为是现代信息技术的三大支柱之一。有市场报告显示,预计2010年全球传感器市场可达600亿美元以上。我国传感器市场的增长率超过15%,预计2009年可达430亿元。
2009-12-14
传感器 前景广阔 朝阳产业 技术创新
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韩国三星电子宣布新型CMOS传感器量产
韩国三星电子宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平,2010年将批量生产产品。至此,三家大型CMOS传感器公司均将在2010年之前开始量产采用背面照射技术的CMOS传感器。
2009-12-10
三星 CMOS 传感器
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SSZ030CG:深迪半导体公布首款自主知识产权商用陀螺仪
国内首家研发商用陀螺仪系列惯性传感器的 MEMS 芯片设计公司 -- 深迪半导体,日前发布了旗下第一款陀螺仪产品 -- SSZ030CG,这标志着第一款具有中国自主知识产权的商用 MEMS 陀螺仪诞生。
2009-12-09
深迪半导体 MEMS 陀螺仪 SSZ030CG
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美新开发出车载用2轴加速度传感器
2012年以后面向美国市场供货的所有汽车都必须配备VSC(汽车车身稳定性控制)装置,而此次的传感器就是用于配备在该VSC中的产品。
2009-12-03
美新 传感器 加速度传感器
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