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半导体照明产业需建立完整产业链

北京半导体照明科技促进中心主任吴玲近日表示，半导体照明产业规模在过去的五年保持了30%至40%的年增长率，2010年产业规模达到1200亿元，保守估计未来五年产业的年增长率为38%，到2015年产业规模将达到6000亿元。

2011-01-25

半导体照明产业完善

飞兆半导体任命Dan Kinzer为首席技术官

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布任命Dan Kinzer担任首席技术官兼高级副总裁 (技术)。在其领导下，飞兆半导体将巩固公司对技术创新的专注，进一步提升其针对功率电子和便携应用的先进产品系列。

2011-01-25

飞兆半导体飞兆半导体首席技术官任命飞兆半导体新闻

台厂高管称太阳能电池价格低谷已过

潘文辉表示，由于欧洲寒冬、圣诞长假、FIT补助政策出台未期以及市场供过于求等四大因素，致使去年12月太阳能电池跌价。但从目前的情况来看，FIT政策出台差不多定调，1月面临的环境已没有去年12月份的困扰因素，因此，太阳能电池价格的低谷已过去。

2011-01-25

太阳能电池价格低谷

全球最薄内藏IC芯片及被动组件的PCB产品出炉

彩色滤光片暨光罩巨擘大日本印刷(DNP)19日发布新闻稿宣布，为了因应行动产品的小型化和高机能化，该公司已研发出一款可内藏IC芯片以及电容、电阻等被动组件的全球最薄印刷电路板(PCB)产品；该款组件内藏式PCB产品将开始提供送样，并预计于今(2011)年秋天进行量产。

2011-01-24

DNP IC芯片被动组件 PCB 0.28mm

日系铝电解电容器喊涨

平板计算机、AIO以及PC换机潮抢料，整体高档铝电解电容器供货状况仍呈现吃紧，日系供货商为反应日元升值，元月起决定全面调涨约8%-10%，同时因部分日系铝电容厂也在大陆生产，产能恐将受到大陆缺工潮波及，供需缺口恐将扩大。预计日系铝电容今年价格还将续涨，第二波涨势可能会在5、6月间。

2011-01-24

铝电解电容器供货吃紧缺工

日系铝电解电容器喊涨

2011-01-24

铝电解电容器供货吃紧缺工

英飞凌中国全新子公司开业

英飞凌科技股份有限公司近日宣布其位于中国北京经济技术开发区的全新子公司——英飞凌集成电路（北京）有限公司正式开业。新公司注册资本1,500万美元，将进一步加强公司对高能效、移动性和安全性的关注，体现了英飞凌对中国市场的长期承诺。

2011-01-24

英飞凌集成电路北京开业

CMF20120D：美国科锐投产采用SiC的+1200V耐压功率MOSFET

美国科锐（Cree）宣布，已经投产了采用SiC（碳化硅）材料的+1200V耐压功率MOSFET“CMF20120D”（英文发布资料）。科锐是继2010年12月的罗姆之后第二家宣布投产SiC功率MOSFET的企业。不过，科锐在发布资料中称自己“是业界第一个投产的”。目标用途包括，太阳能发电用逆变器装置、高电压输出DC-DC转换器...

2011-01-24

科锐 SiC MOSFET CMF20120D

FOD8012：飞兆半导体推出业界首款双向逻辑门光耦合器

FOD8012支持系统之间的数字信号隔离通信，而且不会与接地环路或危险电压导电。不同于提供低于0.1mm光隔离间隙的同类器件，FOD8012具有0.4mm (最低)的光隔离间隙，能够实现经验证的可靠光隔离。该器件还具有高达15兆位/秒的转换速度，并且使用了飞兆半导体专有的Optoplanar 封装技术和优化的集成电路...

2011-01-24

飞兆半导体耦合器

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