FOD8318它包含采用低RDS(ON) CMOS晶体管以进行IGBT轨到轨驱动的集成式栅极驱动光电耦合器，以及用于故障检测的集成式高速隔离反馈。它提供有源米勒箝位功能，可在高dv/dt状态期间关断IGBT，而无需负电源电压。这样可以简化设计，提高可靠性。此外，FOD8318还提供防止出现故障状态所需的关键保护功能，这些状态会导致IGBT的破坏性热失控。

此器件特别适合驱动快速开关功率IGBT和MOSFET，适用于电机驱动器、工业转换器、太阳能电源反相器、不间断电源 (UPS)、 感应加热和隔离式IGBT驱动器等应用。

主要功能

- 有源米勒箝位功能可消除负电源电压
- 内置 IGBT 保护功能
- 去饱和检测
- IGBT软断开
- 针对IGBT进行优化的欠压闭锁(UVLO)
- CMR专有的高抗噪性能： 35kV/µsec @Vcm-1500Vpeak
- 3.3V/5V，CMOS/TTL逻辑输入
- 轨至轨宽幅输出电压范围，以实现低功耗
- 安全和法规认证
- UL1577，4,243VRMS 持续1分钟。
- DIN-EN/IEC60747-5-5，1,414V峰值工作电压，8,000V峰值瞬态额定隔离电压

FOD8318是飞兆全面的高性能光耦合器、电源管理IC、高电压栅极驱动器、分立功率IGBT/MOSFET产品组合的一部分，通过此类解决方案，客户能够实施设计创新。FOD8318采用专有 Optoplanar共面封装技术，具有高抗扰度。

Optoplanar技术确保了0.4毫米以上的安全隔离厚度、8毫米爬电和间隙距离，从而获得了通过UL1577和DIN EN/IEC60747-5-5标准认证的可靠高压隔离。

封装和报价信息（订购 1,000 个，美元）

按请求提供样品。交货期：收到订单后 8-12 周内

该器件采用16引脚小尺寸塑料封装，价格为：

FOD8318:     $3.80
FOD8318V:    $3.82