【导读】近日，三星电子宣布在存储技术领域实现重大突破，其研发团队成功开发出一种新型NAND闪存结构，可将功耗降低超过90%。这一成果有望彻底改变人工智能数据中心、移动设备及其他依赖存储芯片的终端产品的未来发展路径。
技术突破：铁电材料与氧化物半导体的创新融合
据悉，该项突破性研究由三星先进技术研究院（SAIT）主导，通过将铁电材料与氧化物半导体创新性结合，解决了长期困扰NAND闪存发展的能耗难题。相关研究成果已发表于国际顶级学术期刊《自然》，彰显了其技术的前沿性与科学性。
NAND闪存作为一种非易失性存储介质，能够在断电情况下长期保存大量数据，其工作原理是通过向存储单元注入电子来实现数据写入。随着数据量的爆炸式增长，业界普遍采用堆叠更多存储层的方式来提升存储密度，但这也不可避免地导致数据读写过程中的能耗急剧上升。尤其是在大规模数据中心场景下，存储芯片的功耗问题已成为制约行业发展的关键瓶颈。
变“劣势”为优势：协同设计攻克技术难关
三星研究团队此次突破的核心在于成功攻克了氧化物半导体阈值电压不稳定的技术难题。过去，这一特性被视为技术障碍，但研究团队通过将其与铁电结构进行协同设计，巧妙地将这一“劣势”转化为优势。铁电材料具备自维持电极化特性，无需持续供电即可保持状态，这一特性与氧化物半导体的结合，使得新架构实现了惊人的96%功耗降幅。
这项技术突破完全依托三星内部自主研发能力，由三星电子SAIT与半导体研究所的34名研究人员共同完成，展现了三星在存储技术领域的深厚积累和创新实力。
推动AI生态系统发展，加速商业化进程
“我们已验证了实现超低功耗NAND闪存的可行性。”三星电子SAIT研究员、本研究第一作者Yoo Si-jeong表示，“在AI生态系统中，存储器的角色日益关键。未来我们将持续推进后续研究，目标是实现该技术的商业化落地。”
这一技术突破正值三星全力提升其存储业务盈利能力的关键时期。随着DDR5、LPDDR5X及GDDR7等DRAM产品需求持续攀升及价格上涨，三星正重点优化高附加值产品的供应策略，以强化盈利结构。新型超低功耗NAND闪存技术的出现，不仅为三星在激烈的市场竞争中增添了重要筹码，也为整个存储行业的可持续发展指明了方向。
重塑产业未来，开启存储新纪元
三星此次NAND闪存技术的突破性进展，预示着存储芯片行业即将迎来一场深刻的变革。在人工智能、云计算、物联网等技术快速发展的背景下，低功耗、高性能的存储解决方案将成为推动数字经济发展的关键要素。随着这项技术的不断完善和商业化推进，我们有望在不久的见证更高效、更环保的数据中心和移动设备的诞生，真正开启智能存储的新纪元。
