【导读】SPHBM4在沿用标准HBM4 DRAM核心层、保障容量扩展能力的基础上，通过接口基础裸片的创新性设计实现了关键突破——I/O数据引脚数量锐减至标准HBM4的四分之一。依托有机基板替代硅基板、更高工作频率及4:1串行化技术的协同作用，这款新型内存不仅适配更低凸点间距密度的材料特性，更为提升单一封装内存堆栈数量、拓展系统总容量开辟了新路径，将对高性能计算存储领域产生深远影响。
12 月 12 日消息，JEDEC 固态技术协会美国加州当地时间 11 日宣布，其已接近完成 SPHBM4 内存规范。这里的 "SP" 是 "Standard Package"（标准封装）的首字母简写。
JEDEC 接近完成 SPHBM4 规范：I/O 引脚数量仅有标准 HBM4 内存的 1/4
SPHBM4 使用与标准 HBM4 相同的 DRAM 核心层，两者在容量扩展上没有差异。区别在于，SPHBM4 在接口基础裸片 (Interface Base Die) 部分采用了不同的设计，可安装在标准有机基板而不是硅基板上。
此外，标准 HBM4 内存拥有 2048 个 I/O 数据引脚，而在 SPHBM4 上这一数量将降低到 512 个。为实现相当的总数据传输速率，SPHBM4 将具有更高的工作频率并采用 4:1 串行化技术。这也是为了配合有机基板支持的凸点间距密度更低的材料特性。
SPHBM4 使用有机基板布线的一大好处是在 SoC 和 HBM 内存堆栈间允许更长的线径，这有利于提升单一封装中集成的堆栈数量，从而进一步提高系统内存总容量。
SPHBM4内存规范的临近完成，无疑是HBM技术发展历程中的一次重要革新。它并非对标准HBM4的颠覆，而是通过封装与接口层面的优化，在保持核心性能与容量潜力的同时，有效降低了技术应用门槛与硬件适配难度。有机基板的采用与引脚数量的精简，不仅解决了传统硅基板带来的限制，更以灵活的布线特性为内存容量的进一步突破提供了可能。
