【导读】在铁路牵引、新能源发电、大功率电力变换等工业场景中，功率模块常会遭遇突发浪涌电流，对器件的耐受能力提出严苛要求。东芝近日发布型号为 IX800FXF2YMS4 的双 SiC MOSFET 模块，搭载第三代碳化硅芯片，额定 3300V、800A。产品明确标注二极管 I²t 指标，同时兼顾低导通损耗与开关损耗，搭配 iXPLV™封装与银烧结工艺，可满足高温工况需求，适配铁路、储能、工业电机控制等大功率电力转换设备，帮助设备厂商兼顾效率、体积与运行稳定性。
中国上海，2026年9月24日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电压额定值为3300V，漏极电流（DC）额定值为800A。其规格参数中标明了二极管部分的I²t极限值，该值是衡量浪涌电流能力的指标。
铁路牵引逆变器和转换器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备等工业设备制造商，必须不断满足更高效率、更小尺寸和更高可靠性的需求。在这些系统中，异常情况下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流，功率半导体模块可能会承受巨大的浪涌电流，因此必须具备足够的浪涌电流耐受能力以应对这一挑战。
IX800FXF2YMS4采用优化的SiC芯片设计，在异常条件下可实现300kA²s[1]的I²t特性，该特性是衡量二极管部分浪涌电流能力的指标。
该模块的漏源导通电压（检测）（VDS(on)sense）为1.4V（典型值）[2]，有助于降低导通损耗。其导通开关损耗（Eon）为185mJ（典型值）[3]，关断开关损耗（Eoff）为175mJ（典型值）[3]，有助于降低开关损耗。这些特性有助于提升设备可靠性和效率，并缩小冷却系统尺寸。
新产品采用iXPLV™封装[4]，具有出色安装兼容性。该产品使用银烧结接合技术，提高了SiC芯片接合部位的耐热性和可靠性，实现了工业设备所需的175°C沟道温度额定值。
此次新产品的加入，使东芝采用iXPLV™封装的SiC MOSFET模块数量增至四款，进一步拓宽了可选产品范围。
东芝将继续扩充面向工业设备的SiC MOSFET模块产品阵容，提供更广泛的产品选择，以满足多样化的设备规格和应用需求。同时，公司还将继续为提升工业设备的可靠性、效率和小型化作出贡献。
应用：
工业设备
-铁路牵引逆变器和转换器
-可再生能源发电系统
-电力转换系统（固态变压器（SST）[5]；不间断电源（UPS）；储能系统（ESS）等）
-工业电机控制设备等
特性：
-规定I²t极限值（二极管）额定值：I²t＝300kA²s
-低漏源导通电压（检测）：VDS(on)sense＝1.4V（典型值）
-低开关损耗：Eon＝185mJ（典型值），Eoff＝175mJ（典型值）
-结温额定值：Tch＝175°C
-采用iXPLV™封装。
应用电路示例
铁路牵引系统示例
注：本文档所示应用电路示例仅供参考。用于量产的设计必须经过充分评估。提供该应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
注：
[1]测试条件：Tch(initial)＝175°C，VGS＝－6V，半正弦波10ms 1脉冲，F.R.＝1%
[2]测试条件：ID＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C
[3]测试条件：VDD＝1800V，ID＝800A，VGS＝＋20V/－6V，Cgs＝100nF，RG(on)＝1.2Ω，RG(off)＝1.2Ω，Tch＝175°C，LS≃70nH
[4] iXPLV™：intelligent fleXible Package Low Voltage的缩写
[5] SST：一种利用功率半导体实现小型化、高效率电压转换和先进功率控制的下一代变压器。
iXPLV™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司17,400名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
结论
这款 3300V SiC MOSFET 模块是东芝工业碳化硅产品线的重要扩充，核心亮点在于明确给出二极管 I²t 极限指标，具备优异的浪涌电流承受能力，能够应对工业电力系统里的异常电流冲击。器件拥有较低的导通与开关损耗，配合 175°C 的沟道温度规格以及银烧结接合技术，提升高温工况下的长期可靠性；标准化 iXPLV™封装也便于客户进行整机设计与替换。随着该新品落地，东芝 iXPLV 封装 SiC 模块扩充至四款，产品选择更加丰富。后续东芝将持续完善 SiC 模块产品矩阵，面向铁路、可再生能源、储能、工业传动等领域，持续为设备小型化、高效率与高可靠运行提供功率半导体方案。
