【导读】第三代 SiC、GaN 功率半导体开关速度达到纳秒级别，母线电压提升带来严重的共模干扰，传统高压差分探头很难兼顾带宽、共模抑制与安全。麦科信 MOIP1200P 光隔离探头采用自研 SigOFIT 光隔离方案，通过电光光电转换 + 光纤传输、激光供电，实现被测端与示波器完全电气隔离，消除地环路干扰。产品带宽最高 1.2GHz，DC 共模抑制比可达 180dB，可承受 85kVpk 共模电压，输入电容仅 1pF，能安全测量 GaN 栅极这类敏感节点。搭载 ADHOMT 模数混合激光调制技术，具备零温漂、免人工校准、可长期不间断测试的特点，BNC 接口兼容各品牌示波器，适用于 SiC/GaN 双脉冲测试、栅极驱动分析、电驱逆变器以及器件老化可靠性测试。
MOIP1200P光隔离探头
二、核心优势
带宽高达 1.2 GHz，位居 MOIP 系列之首，较 MOIP1000P 进一步提升 20%，上升时间 ≤350 ps，精准捕捉 GaN 器件最快的开关边沿;
共模抑制比(CMRR)DC 下高达 180 dB，即便在 1.2 GHz 最高频点仍保有 106 dB，有效抑制高频共模振荡;
共模电压高达 85 kVpk，配合短引线与低至 1 pF 的输入电容，可安全测试 GaN 栅极等敏感节点;
差模测量范围 ±0.01 V 至 ±20 kV(选配衰减头)，底噪低至 <0.45 mVrms，直流增益精度优于 1%;
ADHOMT 模数混合激光调制技术，零温漂、免人工校准、上电即测，支持 365 天×24 小时不间断测试;
标准 BNC 接口，兼容所有品牌示波器。
三、系列参数
MOIP1200P 与 MOIP 系列共同参数表：
四、典型应用
覆盖功率器件测试的关键环节：
SiC/GaN 双脉冲测试：测量半桥浮地开关节点电压，配合电流探头与 MHO6 系高分辨率示波器，12-bit 垂直分辨率保障波形细节，支撑开关损耗精确评估;
GaN 栅极驱动分析：在高共模抑制下安全测量高边栅极波形，1 pF 低输入电容不扰动敏感栅极节点;
逆变器与电驱系统测试：同步测量高压浮地电压节点，母线电压越高越能体现 85 kVpk 共模电压优势;
器件可靠性考核：配合功率循环与 HTOL 老化试验台，长时间连续监测器件开关节点波形，免校准、零温漂特性支撑 365 天×24 小时不间断测试。
MOIP探头典型应用场景
关于麦科信
麦科信科技成立于2012年，是国家级专精特新“小巨人”企业。公司持续深耕前沿技术，聚焦示波器及探头领域，屡次开创行业先河。成功研发业界首台全触控平板示波器，颠覆传统仪器的笨重形态;基于安卓深度定制的SigtestUI 专业测试系统，成为首款专为测试场景定制的平台，彻底解决工程师“携带不便、操作繁琐”的痛点，重新定义便携测试设备标杆。
凭借自研 SigOFIT 核心技术，麦科信在光隔离探头上实现技术突破，解决了第三代半导体(SiC/GaN)在高压、强干扰环境下的测试难题。目前，公司已构建起涵盖高分辨率示波器及全系列精密探头的产品矩阵，深度赋能新能源发电、储能与微电网、新能源汽车、工业电源、轨道交通、电机驱动、数字能源等核心赛道。
秉持“超越测试的极限”之信念，麦科信持续探索物理世界的微观精度，以极致精准的测试测量技术，守护全球客户的信任与托付，构筑电力能源高效可控的智能世界。
结论
随着 SiC、GaN 器件高频化、高压化，强共模噪声成为功率器件测试的一大难点。麦科信 MOIP1200P 光隔离探头依靠自研光纤隔离技术，在带宽、共模抑制、耐压能力上实现综合提升，在不扰动敏感电路的前提下精准捕获快速开关边沿。免校准、支持长时间连续测试的特性，也契合功率半导体可靠性老化试验需求。该探头完善了麦科信示波器与探头产品矩阵，为新能源汽车、储能等赛道的第三代半导体研发与验证提供高性能测试工具。
