【导读】AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27%和10%,比主要竞争对手,分别构建。的低导通电阻减小导通损耗,并允许器件工作在较低的温度下。
图1:AON7280和AON7290
使用专有的AOS AlphaMOS技术,AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27%和10%,比主要竞争对手,分别构建。的低导通电阻减小导通损耗,并允许器件工作在较低的温度下。这是不影响开关性能的两个设备提供最低的RDS * COSS的行业。这些解决方案被打包在绿色DFN3.3×3.3封装,电路板空间的关键应用提供电路设计的灵活性。
“在狭小的空间中构建高效的电源解决方案,设计人员在更小的 封装的高性能MOSFET中实现。”斯蒂芬说。在AOS的高级产品营销张经理说:“AON7280和AON7290结合了高密度AlphaMOS技术,具有结构紧凑DFN3.3×3.3封装,以满足设计师需求。“
AON7280技术要点
80V N沟道MOSFET
RDS <8.5毫欧(最大值)在VGS = 10V(最低在行业)
COSS = 265 pF的典型
QG(10V)= 26 NC(典型值)
最低RDS * Qg和数字的优点在市场上
最低RDS * COSS数字的优点在市场上
100%的Rg和UIS测试
AON7290技术要点
100V N沟道MOSFET
RDS <12.6毫欧最大VGS = 10V(最低在行业)
COSS = 175 pF的典型
QG(10V)= 26.5 NC(典型值)
最低RDS * COSS数字的优点在市场上
100%的Rg和UIS测试