【导读】东芝将量产SiC制肖特基势垒二极管，可将元件损失降低50%以上。新产品可用于服务器电源、光伏发电用功率调节器等用途，新产品的反向重复峰值电压VRRM为650V，平均正向电流IFM为12A，正向电压VF为1.7V，反向重复峰值电流IRRM为90μA。
东芝于2013年3月19日宣布，将从2013年3月底开始在该公司的姬路半导体工厂量产SiC功率半导体产品。最初量产的是SiC肖特基势垒二极管TRS12E65C。
图1：肖特基势垒二极管
新产品可用于服务器电源、光伏发电用功率调节器等用途，与以往的Si二极管相比，在电源用途可将元件损失降低50%以上（与该公司产品的比较）。新产品的反向重复峰值电压VRRM为650V，平均正向电流IFM为12A，正向电压VF为1.7V（正向电流为12A时的最大值），反向重复峰值电流IRRM为90μA（反向重复峰值电压为650V时的最大值）。
TRS12E65C的量产规模预定为100万个/月。东芝预测，采用SiC的功率半导体市场到2020年将增长至目前的约10倍，今后该公司将继续通过增加符合市场需求的新产品来强化业务，争取在2020年使市场份额达到30%。
