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电路保护

高性能碳化硅隔离栅极驱动器如何选型，一文告诉您

电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第二篇，将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估，并...

2024-10-30

碳化硅隔离栅极驱动器

X-CUBE-STL：支持更多STM32，揭开功能安全的神秘面纱

X-CUBE-STL 目前支持 STM32MP1、STM32U5、STM32L5、STM32H5和 STM32WL。实际上，这个最大的通用微控制器产品家族还在不断扩大，将会有更多的产品支持SIL2和SIL3系统。客户的开发团队可以在ST最新的产品上开发满足 IEC 61508、ISO 13849 和 IEC 61800 等要求的应用。此外，在ST网站的功能安全网页...

2024-10-29

X-CUBE-STL STM32 微控制器

揭秘电动汽车中直流链路电容器的奥秘（上）

直流链路电容器在功率转换器中扮演着中间缓冲器的角色，连接着输入源与输出负载，适应不同的瞬时功率、电压和频率。在电动汽车（EV）领域，它们不仅有效抵消逆变器、电机控制器及电池系统中电感的影响，还充当滤波器，为电动汽车子系统提供保护，抵御电压尖峰、浪涌及电磁干扰（EMI）的侵害。

2024-10-29

电动汽车直流链路电容器

如何在设计中轻松搭载GaN器件？答案内详~~

如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。

2024-10-27

GaN器件

利用自动化技术赋能中国基础设施现代化

许多中国基础设施和运营（I&O）领导者在实施基础设施现代化项目时，希望利用自动化技术来简化和加快IT基础设施资源的配置、管理和扩展。但是，中国企业的技术团队往往各自为政，而技术专家又倾向于将自动化仅仅视为现有技术的延伸，导致自动化优先任务之间的相互竞争，各团队间的协作受到限制，削弱...

2024-10-27

自动化技术基础设施 Gartner

了解交流电压的产生

交流电 (AC) 不断反转方向，交替流向一个方向，然后流向另一个方向。交流电压也可以类似地描述。通常，交流电压和电流是正弦曲线，峰值、平均值和有效值之间存在确定的关系。

2024-10-26

交流电压

克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用

随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。

2024-10-26

碳化硅电力电子应用

【泰克先进半导体实验室】远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件

氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件的潜力并未得到充分发挥，主要在消费电子领域内竞争价格。近期，随着高压氮化镓器件的陆续推出，我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。

2024-10-20

泰克远山半导体氮化镓功率器件

ADALM2000实验：变压器

变压器只适用于交流电(AC)。例如，变压器会通过将电压降低到更合适的电平来降低120V壁式功率，对于大多数消费电子产品，降至仅几伏；对于其他低功耗应用，通常降至12V。变压器还可以升高电压以实现长距离传输，并降低电压以实现安全配电。如果没有变压器，配电网络中已经很严重的电力浪费将大到惊人...

2024-10-19

变压器电平

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