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电路保护

简述SiC MOSFET短路保护时间

IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是说，在一定的短路耐受时间（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路时间不超过这个SCWT，器件基本上是安全的（超大电流导致的寄生晶闸管开通latch up除外，本篇不讨论）。

2022-12-22

SiC MOSFET 短路保护时间

PCI－Express总线接口的布线规则

PCIE是一种典型的串行总线，本文是针对PCI-E接口的布线规则，这些规则是很多芯片厂商的设计指导，也是很多老工程师耳熟能详的金科玉律。

2022-12-21

PCI－Express 总线接口

LC低通滤波器原理及设计方法

前面提到过RC滤波器那么自然而然就存在LC滤波器，在汽车的电子控制器中几乎每个控制器都会用到LC滤波器，特别是在电源输入的地方可以获得更好的EMI效果。

2022-12-21

LC低通滤波器

Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据

加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基于超过850亿小时的现场应用数据，...

2022-12-20

Transphorm 功率管可靠性评估

新颖功率电感器设计，用于紧凑型大电流 DC／DC 转换器

电感器是 DC/DC 转换器中的关键组件，因为它能够抑制 AC 纹波电流，从而在输出中提供平滑的 DC 电流。一代的电子设备非常紧凑，并且具有越来越先进的功能。它们通常由电池供电，需要高能效，从基本组件开始，例如 DC/DC 转换器中的电感器。

2022-12-19

功率电感器大电流 DC／DC 转换器

使用 SiC JFET 接近完美开关

碳化硅 (SiC) JFET坚固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受额定值，而且值得注意的是，它们在每单位芯片面积的 FOM 导通电阻R DS(on) × A方面击败了所有其他技术，实现了价值接近材料的理论极限（图 1）。这个品质因数直接关系到开关的实际性能及其经济性，与竞争技术相比，每个晶圆的芯片数量更多，性...

2022-12-16

SiC JFET接近开关

性能逆天的这种电容，你见过吗？

我们都知道，理想状态下电容的阻抗是随频率的增加而逐渐减小的。但在实际运用中，由于电容器存在等效电感（ESL）以及在电路板上存在一定的安装电感，当频率上升到一个特定值后电容的阻抗将不再减小，反而是逐渐增加的趋势变化。这个特定频率就是电容的自谐振频率。在谐振频率之前，电容器呈现容性特...

2022-12-15

电容电路板电感

面向电路的噪声耦合抑制技术

任何在示波器上仔细观察过低电平信号读数的人都会熟悉电子电路中可能出现的噪声。出现的各种固有的噪声源在低信号电平下十分明显。在其他以典型逻辑电平运行的系统中，由于电磁干扰和电路之间的耦合，会产生外在噪声。这些噪声源都需要一个特定的电路或策略来降低耦合强度或减少噪声，或两者兼而有之。

2022-12-15

电路噪声耦合抑制技术

自适应RF前馈放大器的设计

现代无线通信的迅猛发展日益朝着增大信息容量，提高信道的频谱利用率以及提高线性度的方向发展。一方面，人们广泛采用工作于甲乙类状态的大功率微波晶体管来提高传输功率和利用效率；另一方面，无源器件及有源器件的引入，多载波配置技术的采用等，都将导致输出信号的互调失真。

2022-12-13

RF前馈放大器

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