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电路保护

如何选择电源系统开关控制器的 MOSFET？

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。

2021-11-19

电源系统开关控制器 MOSFET

如何在48V系统中轻松应用GaN FET？

GaN FET可以应用在48V电源系统中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合适控制器，工程师们常利用DSP数字解决方案来实现其高频和高效率设计。然而，DSP解决方案因为需要额外的IC而增加了复杂性和难度。本文介绍了一种兼容GaN FET的模拟控制器，它只需很少的器件，就可以让设计人员像使用硅FET一样简单地设...

2021-11-17

48V系统 GaN FET

保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析

半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。

2021-11-16

保护器件过电应力失效

USB Type-C接口EMC设计及过压防护方案

依托巨大的市场发展，智能手机在原有的通讯功能基础上，正体现出其强大的功能扩展性。同时其高功耗也对智能手机的续航能力提出越来越高的要求。2014 年，Type-C 伴随着最新的USB3.1 标准横空出世，这类全新的接口形式，凭借其便捷的正反面拔插，大功率的供电，快速的传输速率等功能得到广泛认可。但...

2021-11-15

USB Type-C EMC 过压防护

能否让低压放大器自举来获得高压缓冲器？

当然是可以的！您可以采用具有出色输入特性的运算放大器，并进一步提高其性能，使其电压范围、增益精度、压摆率和失真性能均优于原来的运算放大器。

2021-11-10

低压放大器高压缓冲器

环路供电变送器设计的三种解决方案

环路供电变送器已经从纯粹的模拟信号调理器发展为高度灵活的智能变送器，但所选择的设计方法仍取决于系统的性能、功能和成本要求。

2021-11-10

环路供电变送器

特基二极管和整流二极管的区别

整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用...

2021-11-10

特基二极管整流二极管

如何为UHF局部放电在线监测系统设计一个最好的前端？

发生局部放电时，会产生具有较宽频率范围的信号，因此有4种针对不同频率范围的局部放电检测技术。超声波检测技术针对20 kHz至~200 kHz频率范围，高频电流互感器(HFCT)检测技术针对3 MHz至~30 MHz频率范围，瞬态接地电压(TEV)检测技术针对3 MHz至~100 MHz频率范围，超高频率(UHF)检测技术针对300 MHz...

2021-11-09

UHF局部放电在线监测系统

高压双向触发器件SIDAC的特点及其应用

在电子镇流器中广泛采用的双向触发器件是DB3，其触发开通电压在30V左右，触发电流较小(mA级)，导通后的残余电压在20V左右，这些特点决定了只能用于小电流的触发电路中。这里介绍一种大电流的高压双向触发器件SIDAC(SiliconDiode for Alternating Current)，它比普通的DIAC(DB3系列)具有更大的功率容...

2021-11-09

高压双向触发器 SIDAC 应用

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