【导读】AI算力需求呈现爆炸式增长，海量数据频繁调动使得存储行业变得愈发重要。生成式AI、AI智能体、端侧AI应用，高性能、高密度、高能效的存储解决方案都构成了不可或缺的硬件基础。这些技术正助力解决数据中心、AI训练推理以及移动设备在数据存储与访问方面的瓶颈问题。在众多存储技术发展路径中，铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术为整个行业提供了坚实支撑，成为高性能存储领域的关键角色。
从2D到3D：闪存技术的革命性跨越
作为闪存技术的发明者，铠侠始终秉承Bit Cost Scalable Flash理念。当2D NAND技术遭遇容量提升瓶颈后，BiCS FLASH创造性地转向垂直方向堆叠存储单元。这项技术通过巧妙的交替堆叠板状电极和绝缘体，一次性垂直打孔穿透存储层，并在孔内填充电荷储存膜和柱状电极，从而构建起当前主流的3D NAND架构。更重要的是，BiCS FLASH的技术迭代从未停止，持续推动着存储技术的边界。
性能与密度兼得：第八代BiCS FLASH的技术突破
已成为行业主流的第八代BiCS FLASH现已广泛应用于各类存储产品中，从移动设备和车载系统的UFS系列，到消费级SSD，再到企业级和数据中心级存储方案，都能看到它的身影。
第八代BiCS FLASH在存储密度和性能方面均有显著提升，其中2Tb QLC NAND是目前业界最大容量的存储器。为实现这一突破，铠侠通过专有工艺和创新架构，平衡了存储芯片的纵向和横向缩放，开发的CBA架构和3.6Gbps接口速度，为AI应用、数据中心和移动设备开辟了更多可能性。
CBA架构与传统单晶圆制造CMOS逻辑电路与存储单元的方式截然不同，它采用两片分别制造后再翻转贴合的方式，使不同工艺都能发挥更大优势，同时缩短生产时间。得益于存储单元和CMOS逻辑电路都有了更充裕的设计空间，第八代BiCS FLASH实现了存储密度与性能的双重提升：写入性能提高20%，读取速度提高10%，耗电量减少30%（写入时），接口速度达到3.6 Gbps，表现优于同级别产品。
第八代BiCS FLASH QLC创造了业界最大的2Tb规格，当单个封装内堆叠32个Die时，可实现领先的8TB容量。多个存储芯片组合，更能构建出256TB的企业级SSD，剔除OP空间后存储容量仍达245.76TB。铠侠LC9 245.76TB企业级SSD就是典型代表，目前已与部分数据中心展开合作，加速AI数据中心高效能部署，同时降低总体拥有成本。
双轨并行战略：为AI未来加码
在第八代BiCS FLASH成为行业中流砥柱的同时，第九代和第十代BiCS FLASH也已蓄势待发，形成双轨并行的发展策略。
第九代BiCS FLASH专注于利用CBA技术，在现有存储单元技术基础上推出更具成本优势的产品。通过集成最新的CBA技术和Toggle DDR 6.0接口，第九代BiCS FLASH实现了显著的性能与能效提升，能够为主流企业级SSD、边缘计算和AI应用提供均衡的解决方案。
第十代BiCS FLASH则进一步将存储阵列堆叠层数大幅提升至332层，同样采用Toggle DDR6.0接口和SCA独立命令地址协议，将NAND接口速度提升至4.8Gbps，以满足未来AI训练、科学计算等超大规模数据中心对存储带宽和容量的极致需求，同时有助于降低超大容量SSD的制造复杂度和成本。
除了主流的BiCS FLASH技术，铠侠还在探索XL-FLASH存储级内存和OCTRAM等新型存储技术，为未来计算架构做好充分准备。
最后，面对AI时代的数据洪流，存储技术的创新步伐正在加快。铠侠通过持续的技术迭代，不断追求更高的存储密度，与各行业客户紧密合作，进一步降低TCO，提升能效表现，为迈向更高存储密度的目标奠定坚实基础。随着BiCS FLASH技术的持续进化，云端与端侧应用将获得更优质的存储解决方案，为全面智能化时代提供强有力的数据支撑。
