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SPARC:用于先进逻辑和 DRAM 的全新沉积技术
泛林集团发明了一种名为 SPARC 的全新沉积技术,用于制造具有改进电绝缘性能的新型碳化硅薄膜。重要的是,它可以沉积超薄层,并且在高深宽比的结构中保持性能,还不受工艺集成的影响,可以经受进一步处理。SPARC 将泛林无与伦比的等离子技术与化学和工艺工程相结合,实现了先进逻辑和 DRAM 集成设计...
2022-10-09
SPARC DRAM 沉积技术
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INS5699C全面满足智能电表应用中RTC指标要求
随着我国经济社会高速发展,居民用电量和企事业单位用电量也随之急剧增长,传统的电网采集系统已经无法满足需求,新的智能电量采集系统应运而生。电表集中器,也叫智能电表数据集中器,是智能电量采集系统中上下行通信的桥梁,在智能电量采集系统中占据重要的地位。
2022-10-09
INS5699C 智能电表 RTC指标
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红外热成像仪对放大器的芯片结温的仿真测试
随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达 2000 W/(m•K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片。
2022-10-08
红外热成像仪 放大器 芯片结温
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走向特定领域的EDA
似乎越来越多的公司正在创建自定义 EDA 工具,但尚不清楚这一趋势是否正在加速以及它对主流EDA行业意味着什么。
2022-09-30
EDA 芯片
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【干货】强大的4开关升降压BOB电源,可升可降、能大能小
基于电感器的开关架构电源有3中常见的拓扑结构,分别是BUCK降压电源、BOOST升压电源以及BUCK-BOOST负压电源,今天介绍的第4中拓扑——4开关BOB电源,在手机、汽车、嵌入式等领域都有广泛应用,它的基本工作原理是怎样的呢?有什么优势呢?
2022-09-27
BOB电源 升压电源 负压电源
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技术如何提高器件性能和寿命
由于碳化硅(SiC)器件的低导通损耗和低动态损耗,英飞凌CoolSiC™ MOSFET越来越多地被用于光伏、快速电动车充电基础设施、储能系统和电机驱动等工业应用。但与此同时,工程师也面临着独特的设计挑战。实现更小的外形尺寸,同时保持功率变换系统的散热性能,是相互矛盾的挑战,但英飞凌创新的.XT技术...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技术
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采用MEMS技术制备的全硅法珀传感器
近年来,微机电系统(MEMS)技术的发展,为光纤传感领域注入新活力,将其与光纤结合为高灵敏度压力测量提供可能。光纤MEMS法珀传感器具有高一致性、可大批量生产、性能优易稳定等特点。
2022-09-26
MEMS技术 全硅法珀传感器
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如果把开关电源的频率无限提升..........
估计很多新手工程师在设计开关电源计算变压器时发现,把电源的开关频率提高后变压器磁芯更加不容易饱和,或者说可以用更小的磁性做出同样功率的电源,甚至在想把开关频率无限制提高来无限制缩小变压器的体积。
2022-09-26
开关电源 频率
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模块性能解析
半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言,始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通过仿真和应用测试,对英飞凌全新TRENCHSTOP™ 1700V IGBT7技术以及对应的同类最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模块 性能
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