能源电力-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

能源电力

原来为硅MOSFET设计的DC－DC控制器能否用来驱动GaNFET?

众所周知，GaNFET比较难驱动，如果使用原本用于驱动硅(Si) MOSFET的驱动器，可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路，可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。

2025-01-07

硅MOSFET DC－DC控制器 GaNFET

PNP 晶体管：特性和应用

您可能很清楚，现代电气工程乃至整个现代世界都与晶体管设备有着千丝万缕的联系。这些组件既充当开关又充当放大器。尽管场效应晶体管目前在电子领域占据主导地位，但初的晶体管是双极晶体管，并且很快个双极结晶体管（BJT）就紧随其后。

2025-01-07

PNP 晶体管

栅极驱动器选得好，SiC MOSFET高效又安全

硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。

2025-01-06

栅极驱动器 SiC MOSFET

步进电机中的脉宽调制与正弦控制

步进电机是需要运动控制的工业系统中的重要组成部分。它们依靠电机驱动来解码脉冲输入并生成输出电流。良好的控制系统使用特定的算法为电机绕组产生电流，以实现步进电机旋转的增量。该算法控制速度、位置、步长分辨率和效率。脉宽调制 (PWM) 和正弦控制等控制方法可生成运动控制所需的电流。

2025-01-02

步进电机脉宽调制正弦控制

ESR 对陶瓷电容器选择的影响（上）

在理想化的情境下，电容器的设计理论上可以追求零电阻状态。然而，这在物理现实中无法实现，因为电容器内部总会不可避免地存在一种与电容本身串联的内部电阻，即所谓的等效串联电阻（ESR）。不同类型的电容器，其ESR值会有所差异，这一差异受多种因素的综合影响，如介电材料的选用、操作频率的高低...

2025-01-02

ESR 陶瓷电容器

【“源”察秋毫系列】DC-DC电源效率测试，确保高效能与可靠性的关键步骤

DC-DC电源转换器在现代电子设备中扮演着至关重要的角色，从便携式电子产品到工业控制系统，其应用范围广泛。为了确保这些设备的高效能与可靠性，对DC-DC电源进行效率测试显得尤为重要。本文将详细探讨DC-DC电源效率测试的目的及其在实际应用中的重要性。

2024-12-31

DC-DC电源

消除电刷、降低噪音：ROHM 的新型电机驱动器 IC

典型的有刷直流电机是一种非常方便但噪音很大的设备。电刷实现极性反转，也称为“换向”，这样您只需施加恒定的直流电压即可使电机转动。但与这些电刷相关的突然连接和断开会导致瞬态干扰，从而影响连接到电机的电路（通过标准传导路径）以及附近的组件（通过 EMI）。

2024-12-29

消除电刷噪音 ROHM 电机驱动器 IC

双向电源设计的优点

现在可供设计人员使用的模块化组件提供了两个关键属性：它们可用作有效且高效的“直流变压器” - 也就是说，它们提供固定比率的直流-直流转换：并且它们本质上是双向的。关于如何实现双向操作的详细描述超出了本文的范围；但是，通过查看作为支持技术的正弦振幅转换器的主要元件，可以获得“粗略”的理解。

2024-12-28

双向电源对称转换器

准 Z 源逆变器的设计

qZSI 旨在解决与可再生能源中电压范围受限相关的挑战，与 CSI 和 VSI 等传统逆变器拓扑不同，qZSI 可以处理功率波动。qZSI 拓扑结构增强了对突然电压尖峰等故障的容忍度，从而提高了电压转换的整体效率和可靠性。QZSI 是从 Z 源逆变器（ZSI）拓扑演变而来的，允许在一个阶段进行升压和降压操作。

2024-12-22

逆变器

首页上一页 5 6 7 8 9 10 11 12 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索