产品特性：

• 双通道N沟道
• 带有内置的2kV ESD保护
• 带有两个独立的50V，280mA的MOSFET

应用范围：

• 适用于电池供电的便携式电子产品

CMLDM7003是一种双通道N沟道的增强模式MOSFET，带有内置的2kV ESD保护。它带有两个独立的50V，280mA的MOSFET，在每个器件的源极和栅极之间带有瞬变电压抑制栅。该器件的导通电阻RDS(on)在50mA，1.8V时是3.0欧姆。

这种MOSFET的封装采用外形尺寸为0.6mm的表面贴装SOT-563外壳。这种封装占用的电路板空间要比SOT-23减少62%，它适用于电池供电的便携式电子产品，如手机/智能手机，MP3音乐播放器，医学检验设备，条形码扫描器，PDA和笔记本电脑。