产品特性：

• 最先进的硅技术
• 采用5x6mm PQFN封装
• 实现业界领先的RDS(on）
• 具有低热阻
• 栅极电荷 (Qg) 仅52nC

应用范围：

• 专为DC开关应用设计

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高仅为1.2mΩ，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借在基准MOSFET技术方面的丰富经验和不断努力，IR推出了结合我们最新一代芯片与PQFN封装技术的MOSFET系列，实现了业界领先的RDS(on) ，继续开创卓越性能的先河。此外，在未来几个月，我们将按照产品路线图推出宽泛组合的PQFN基准MOSFET产品，以满足客户的需求。”

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的，例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 达到了 50nC。

如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不仅能够实现卓越的热性能，还可以根据给定的功率损耗要求，比现有解决方案使用更少的元件，节省电路板空间及成本。

所有这些新器件均具有低热阻 (<0.5°C/W)，并达到一级湿敏 (MSL1) 工业合格水平，也不含铅、溴化物和卤素，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。